| 发明名称 | 包含隔离沟槽和场效应晶体管的集成电路装置及相关制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括存储单元区域(12)的存储电路装置，该存储单元区域包含多个存储单元晶体管(T00至T21)。通过选择晶体管(TD0)选择一列中的存储单元晶体管(T00、T01)。选择晶体管(TD0)为三个控制区的晶体管，其控制区延伸到隔离沟槽(G0、G1)内。后者(G0、G1)也用于隔离存储单元区(12)的不同列的存储单元晶体管(T00，T10)。该装置增加了集成水平。 | ||
| 申请公布号 | CN1788351A | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN200480012981.6 | 申请日期 | 2004.05.05 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | R·卡科施克;F·舒勒 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/788(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种集成电路装置(10)，特别是集成存储电路装置：具有衬底(200)，具有场效应晶体管(TD0)，具有隔离沟槽(60)，该隔离沟槽设置在衬底(200)内，将场效应晶体管(TD0)与其周围区域隔离，并被沟槽底部、沟槽壁、以及沟槽边缘界定，并具有中间壁隔离区(216)，该区域由位于相互对立的沟槽壁之间并和沟槽底部有一定距离的中心区域内的电绝缘材料构成，该隔离沟槽含有导电材料(218)，该导电材料在靠近沟槽边缘的区域内形成场效应晶体管(TD0)的栅极区。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||