Verbesserte mit Stickstoff angereicherte Barrierenschicht mit kleinem epsilon für eine Kupfermetallisierungsschicht

摘要

Die Wirkung der Lackvergiftung kann vermieden oder zumindest deutlich reduziert werden bei der Herstellung einer Metallisierungsschicht mit kleinem epsilon, indem eine stickstoffenthaltende Barrierenschicht mit einer durch Plasmabehandlung modifizierten Oberfläche bereitgestellt wird. Folglich ist die Diffusion von Stickstoff und Stickstoffverbindungen in Kontaktdurchführungen, die in der dielektrischen Schicht mit kleinem epsilon gebildet sind, deutlich unterdrückt, so dass in einem nachfolgenden photolithographischen Schritt eine Wechselwirkung des Stickstoffs und der Stickstoffverbindungen mit dem Photolack deutlich reduziert ist.