TRENCH MEMORY CAPACITOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
摘要
<p>Die Erfindung betrifft einen Trench-Speicherkondensator und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Bei diesem Speicherkondensator ist die Buried-Plate (3) durch eine dotierte Siliziumschicht (8) bis über die Collar-Isolierschicht (4) verlängert. Die Leiterschicht (8) wird bevorzugt auf eine "vergrabene" Collar-Isolierschicht aufgebracht und mit Hilfe einer durch ALD hergestellten Schutzschicht (9) maskiert. In einem anderen Ausführungsbeispiel besteht die Leiterschicht (18) aus amorphem Silizium, welches in einem unteren Trenchbereich (12) als HSG-Schicht (18') verwendet wird.</p>
申请公布号
WO2004102674(A1)
申请公布日期
2004.11.25
申请号
WO2004DE01003
申请日期
2004.05.13
申请人
INFINEON TECHNOLOGIES AG;SEIDL, HARALD;MANGER, DIRK;GOLDBACH, MATTHIAS;BIRNER, ALBERT;SLESAZECK, STEFAN
发明人
SEIDL, HARALD;MANGER, DIRK;GOLDBACH, MATTHIAS;BIRNER, ALBERT;SLESAZECK, STEFAN