发明名称 制造电容装置之方法
摘要 本发明揭示一种制造电容装置的方法,在一基板上形成包括一下部电极、一铁电膜制成的电容器介电膜和一上部电极的电容装置后,形成覆盖该电容器装置的一绝缘膜。随后,退火处理覆盖了该绝缘膜的电容器装置,以使铁电膜结晶。
申请公布号 TWI269322 申请公布日期 2006.12.21
申请号 TW091135685 申请日期 2002.12.10
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 三河 巧;十代 勇治;野间 淳史
分类号 H01G4/018(2006.01) 主分类号 H01G4/018(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种制造电容器装置的方法,包括以下步骤:在基板上形成电容器装置,其包括下部电极、不具有钙钛矿结构之铁电膜制成之电容器介电膜和上部电极;形成覆盖该电容器装置之绝缘膜,以使该绝缘膜覆盖该电容器装置之上面及侧面;以及于形成该绝缘膜之步骤后,在该绝缘膜直接覆盖在该电容器装置之上面全体期间,退火处理该电容器装置,以使不具有钙钛矿结构之该铁电膜结晶,其中该绝缘膜为氧化矽膜。2.如申请专利范围第1项之制造电容器装置的方法,其中进一步包括退火处理该电容器装置之步骤后,在该绝缘膜上形成防湿气侵入膜的步骤。3.如申请专利范围第2项之制造电容器装置的方法,其中该防湿气侵入膜系在退火处理该电容器装置后的48小时内形成。4.如申请专利范围第2项之制造电容器装置的方法,其中该防湿气侵入膜系为由氮化矽膜、金属膜、金属氮化物膜或金属氧化物膜制成的单层膜,或包括氮化矽膜、金属膜、金属氮化物膜及金属氧化物膜任一者之多层膜。5.如申请专利范围第1项之制造电容器装置的方法,其中进一步包括在该绝缘膜上形成防湿气侵入膜的步骤,其系在形成该绝缘膜之步骤和退火处理该电容器装置的步骤之间。6.如申请专利范围第5项之制造电容器装置的方法,其中该防湿气侵入膜系为由氮化矽膜、金属膜、金属氮化物膜或金属氧化物膜制成的单层膜或包括氮化矽膜、金属膜、金属氮化物膜及金属氧化物膜任一者之多层膜。7.如申请专利范围第1项之制造电容器装置的方法,其中该退火处理系在氧气环境下进行。8.如申请专利范围第1项之制造电容器装置的方法,其中该不具有钙钛矿结构之铁电膜系由Sr、Bi及Ta制成或由Pb、Zr及Ti制成。9.如申请专利范围第1项之制造电容器装置的方法,其中该下部电极及上部电极中至少一者系由白金制成。10.如申请专利范围第1项之制造电容器装置的方法,其中该铁电膜系藉由该退火处理而结晶化而具有钙钛矿结晶结构,及于该退火处理后不曝露该已结晶化之铁电膜于大气中。11.如申请专利范围第1项之制造电容器装置的方法,其中在该退火处理步骤期间,该绝缘膜系直接覆盖在该电容器装置之侧面全体。12.一种制造电容器装置的方法,包括以下步骤:在基板上形成下部电极;在该下部电极上形成不具有钙钛矿结构之铁电膜制成之电容器介电膜;于形成该电容器介电膜之步骤后,进行第一退火处理以除去含于不具有钙钛矿结构之该铁电膜之有机成分;于第一退火处理之步骤后,藉由于该铁电膜上形成上部电极以形成电容器装置;形成覆盖该电容器装置之绝缘膜,以使该绝缘膜覆盖该电容器装置之上面及侧面;以及于形成该绝缘膜之步骤后,在该绝缘膜直接覆盖在该电容器装置之上面全体期间,对该电容器装置进行第二退火处理,以使不具有钙钛矿结构之该铁电膜结晶,其中该绝缘膜为氧化矽膜。13.如申请专利范围第12项之制造电容器装置的方法,其中该第一退火处理系在不使不具有钙钛矿结构之该铁电膜结晶之温度下进行。14.如申请专利范围第13项之制造电容器装置的方法,其中该第二退火处理系在氧气环境下进行。15.如申请专利范围第12项之制造电容器装置的方法,其中进一步包括在对该电容器装置进行该第二退火处理步骤后形成防湿气侵入膜在该绝缘膜上的步骤。16.如申请专利范围第15项之制造电容器装置的方法,其中该防湿气侵入膜系在对该电容器装置进行第二退火处理后之48小时内形成。17.如申请专利范围第15项之制造电容器装置的方法,其中该防湿气侵入膜系为由氮化矽膜、金属膜、金属氮化物膜或金属氧化物膜制成的单层膜或包括这些膜中任一者之多层膜。18.如申请专利范围第12项之制造电容器装置的方法,其中进一步包括在该绝缘膜上形成防湿气侵入膜的步骤,其系在形成绝缘膜之步骤和对该电容器装置进行第二退火处理的步骤之间。19.如申请专利范围第18项之制造电容器装置的方法,其中该防湿气侵入膜系为由氮化矽膜、金属膜、金属氮化物膜或金属氧化物膜制成的单层膜或包括氮化矽膜、金属膜、金属氮化物膜及金属氧化物膜中任一者之多层膜。20.如申请专利范围第12项之制造电容器装置的方法,其中该不具有钙钛矿结构之铁电膜系由Sr、Bi及Ta制成或由Pb、Zr及Ti制成。21.如申请专利范围第12项之制造电容器装置的方法,其中该下部电极及上部电极中至少一者系由白金制成。22.如申请专利范围第12项之制造电容器装置的方法,其中该铁电膜系藉由该第二退火处理而结晶化而具有钙钛矿结晶结构,及于该第二退火处理后不曝露该已结晶化之铁电膜于大气中。23.如申请专利范围第22项之制造电容器装置的方法,其中在该第二退火处理步骤期间,该绝缘膜系直接覆盖在该电容器装置之侧面全体。图式简单说明:图1A、1B、1C和1D为断面图,显示依据本发明具体实施例1之制造电容器装置方法的步骤;图2为断面图,显示依据修改的具体实施例1之制造电容器装置方法的步骤;图3为一图表,显示采用依据修改的具体实施例1之制造电容器装置方法,所获得的结晶退火处理后,覆盖了层间绝缘膜的电容器装置可立于空气中的持续时间,与铁电膜极化之间的关系。图4A、4B、4C和4D为断面图,显示依据本发明具体实施例2之制造电容器装置方法的步骤;图5A、5B、5C和5D为断面图,显示依据本发明具体实施例3之制造电容器装置方法的步骤;图6A、6B、6C和6D为断面图,显示依据本发明具体实施例4之制造电容器装置方法的步骤;图7A、7B、7C和7D为断面图,显示第一种制造电容器装置之传统方法的步骤;以及图8A、8B、8C和8D为断面图,显示第二种制造电容器装置之传统方法的步骤。
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