| 主权项 |
1.一种垂直式电晶体之制造方法,包括:提供一基底,其上依序覆盖有一第一介电层及一罩幕层;在该罩幕层及该第一介电层中形成一开口,且在该开口下方的该基底形成一凹陷区,以定义该电晶体之主动区;在该凹陷区形成一具有第一导电性之第一矽层并延伸至该开口之下半部;在该开口上半部之两侧侧壁各形成一绝缘间隙壁;在该第一矽层上形成一具有相反于该第一导电性之第二导电性之第二矽层;去除该罩幕层;在该第一矽层之两侧侧壁各形成一第二介电层;以及形成导电间隙壁以覆盖每一该第二介电层及其上方之绝缘间隙壁,用以作为闸极电极。2.如申请专利范围第1项所述之垂直式电晶体之制造方法,更包括在该凹陷区的该第一矽层中形成一具有该第二导电性之掺杂区。3.如申请专利范围第1项所述之垂直式电晶体之制造方法,更包括在该导电间隙壁下方的该基底中形成一具有该第二导电性之掺杂区。4.如申请专利范围第1项所述之垂直式电晶体之制造方法,更包括去除未被该导电间隙壁覆盖之该第一介电层。5.如申请专利范围第1项所述之垂直式电晶体之制造方法,其中该基底包括一应变的矽层。6.如申请专利范围第1项所述之垂直式电晶体之制造方法,其中藉由选择性磊晶成长(SEG)形成该第一矽层。7.如申请专利范围第1项所述之垂直式电晶体之制造方法,其中该第二矽层包括一磊晶矽层或一复晶矽层。8.如申请专利范围第1项所述之垂直式电晶体之制造方法,其中藉由热氧化法以形成该第二介电层。9.如申请专利范围第1项所述之垂直式电晶体之制造方法,更包括在该第二矽层上方形成一上盖层。10.一种垂直式电晶体,包括:一基底,具有一凹陷区;一具有第一导电性之第一矽层,位于该凹陷区并突出于该基底表面;一具有相反于第一导电性之第二导电性之第二矽层,位于该第一矽层上;一对绝缘间隙壁,位于该第一矽层上,且分别位于该第二矽层两侧之侧壁;一对导电间隙壁,位于该基底上,且分别位于该第一矽层两侧之侧壁;一对第一介电层,位于每一该对导电间隙壁与该基底之间;以及一对第二介电层,位于每一该对导电间隙壁与该第一矽层之间。11.如申请专利范围第10项所述之垂直式电晶体,更包括一具有该第二导电性之掺杂区,位于该凹陷区中的该第一矽层中。12.如申请专利范围第10项所述之垂直式电晶体,更包括一对具有该第二导电性之掺杂区,分别位于每一该对导电间隙壁下方的该基底中。13.如申请专利范围第10项所述之垂直式电晶体,其中该基底包括一应变的矽层。14.如申请专利范围第10项所述之垂直式电晶体,其中该第一矽层系一磊晶矽层。15.如申请专利范围第10项所述之垂直式电晶体,其中该第二矽层包括一磊晶矽层或一复晶矽层。16.如申请专利范围第10项所述之垂直式电晶体,其中该第二介电层系一热氧化矽层。17.如申请专利范围第10项所述之垂直式电晶体,更包括一上盖层,位于该第二矽层上方。18.如申请专利范围第10项所述之垂直式电晶体,其中该凹陷区之深度在100至300埃()的范围。图式简单说明:第1A至1H图系绘示出根据本发明实施例之垂直式电晶体之制造方法剖面示意图。第2图系绘示出根据本发明另一实施例之垂直式电晶体剖面示意图。 |
