发明名称 凸块在晶圆上回焊成形过程
摘要 一种凸块在晶圆上回焊成形过程,一晶圆系设置有复数个凸块。首先,在该些凸块之外露表面形成一水溶性助焊剂,再加热该些凸块,以使其回焊成形。之后,进行一热水清洗步骤,藉由热水清洗去除残留在该晶圆上之该水溶性助焊剂,使得回焊后之该些凸块外露表面不会残留酸清洗溶剂,以确保回焊后该些凸块之外露表面光泽度,并能减少制造成本并且能省却清洗槽之溶液与更换。
申请公布号 TWI269393 申请公布日期 2006.12.21
申请号 TW094110066 申请日期 2005.03.30
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈知行;陈世光;王启宇;蔡孟锦
分类号 H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种凸块在晶圆上回焊成形过程,包含:进行一凸块设置步骤,其系将复数个凸块设置于一晶圆上;形成一水溶性助焊剂于该些凸块之外露表面;进行一回焊步骤,以加热该些凸块使其回焊成形;及进行一热水清洗步骤,藉由热水洗去残留在该些凸块之水溶性助焊剂。2.如申请专利范围第1项所述之凸块在晶圆上回焊成形过程,其中该热水清洗步骤所使用之热水系以喷洒方式清洗该晶圆与该些凸块。3.如申请专利范围第2项所述之凸块在晶圆上回焊成形过程,其中在热水清洗步骤中,该晶圆系放置于一晶圆载台,且该晶圆载台系带动该晶圆旋转。4.如申请专利范围第2项所述之凸块在晶圆上回焊成形过程,其中在热水清洗步骤中,提供热水之喷洒装置系能作往复移动。5.如申请专利范围第1项所述之凸块在晶圆上回焊成形过程,其中该热水清洗步骤所使用之热水温度系约介于55℃~75℃。6.如申请专利范围第1项所述之凸块在晶圆上回焊成形过程,其中该些凸块设置于该晶圆之一主动面。7.如申请专利范围第6项所述之凸块在晶圆上回焊成形过程,其另包含有一常温或冷水洗步骤,以清洗该晶圆。8.如申请专利范围第1项所述之凸块在晶圆上回焊成形过程,其中该水溶性助焊剂系不含有卤素。9.如申请专利范围第1项所述之凸块在晶圆上回焊成形过程,其中该些凸块系由锡膏印刷形成。10.如申请专利范围第1项所述之凸块在晶圆上回焊成形过程,其中该些凸块系由电镀形成。图式简单说明:第1图:习知凸块在晶圆上回焊成形过程之流程图。第2A至2E图:习知晶圆在凸块回焊成形过程中之截面图。第3图:依据本发明之一具体实施例,一种凸块在晶圆上回焊成形过程之流程图。第4A至4F图:依据本发明之一具体实施例,晶圆在凸块回焊成形过程中之截面图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号