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Bei maskenlosen Lithographiesystemen zur Herstellung von nanostrukturierten Halbleiterschaltungen entstehen große Datenmengen zur Ansteuerung der Aperturen in den programmierbaren Mustererzeugungssystemen im Inneren der Vakuumkammer. Die bekannte Datenübertragung erfolgt elektrisch über aufwändige, platzeinnehmende und mechanisch in der Kontaktierung stark belastende Drahtverbindungen. Dagegen erfolgt die Datenübertragung bei dem erfindungsgemäßen Lithographiesystem (1) mit einem leistungsfähigen elektrooptischen Freistrahlverbindungssystem (8), mit dem die optischen Musterdaten von Lichtaustrittsorten (10) mittels Freistrahlen (11) auf Lichteintrittsorte (12) im Inneren der Vakuumkammer (4) zur Erzeugung von Steuersignalen geführt werden. Das Mustererzeugungssystem (6) wird durch das Entfallen von mechanischen Kontaktierungen stark entlastet. In der Freistrahlstrecke können sich die Bahnen der Freistrahlen (11) und des Teilchenstrahls (5) beeinflussungsfrei kreuzen. Deshalb können die Lichteintrittsorte (12), beispielsweise aktive Photodioden (19), auch direkt im Mustererzeugungssystem (6) räumlich angeordnet werden. Die Lichtaustrittsorte (10), beispielsweise passive Lichtwellenleiter (20), die in mehrpoligen Faserarraysteckern gebündelt werden können, oder aktive Sendelaser können auch außerhalb der Vakuumkammer (4) angeordnet sein, wobei die Freistrahlen (11) durch ein Fenster (21) hineingeleitet werden.
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