| 摘要 |
Um eine im Wesentlichen gleichmäßige Behandlung aller Bereich von scheibenförmigen Substraten zu ermöglichen, sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, vor, bei dem eine Vielzahl von Substraten mit einem Führungselemente aufweisenden Substratträger in ein Behandlungsbecken eingeleitet wird, um die Substrate zu behandeln. Im Behandlungsbecken werden die Substrate durch wenigstens zwei sich im Wesentlichen senkrecht zu der Ebene der Substrate erstreckende Rollen derart aufgenommen, dass sie nicht mehr auf dem Substratträger aufliegen, aber die Führungselemente des Substratträgers die Substrate seitlich führen, um ein Kippen derselben zu verhindern, und die Substrate werden ferner während der Behandlung über wenigstens eine der Rollen wenigstens einmal bezüglich ihrer Ausgangsposition gedreht.
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