设计及使用重叠量测中的微靶材之方法及设备

摘要

一种制造半导体晶粒之方法及装置，此半导体晶粒包含几个靶材结构。第一层被形成而包含延伸于第一方向上的一或多个线或渠沟结构。第二层被形成而包含延伸于与第一结构垂直之第二方向上的一或多个线或渠沟结构，使得沿着第一方向之靶材结构的投影系与第二方向无关，且沿着第二方向之靶材结构的投影系与第一方向无关。靶材结构及校正曲线产生方法也做说明。