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发明名称
半导体装置之制造方法
摘要
提供一种半导体装置之制造方法,以减少因对半导体晶圆进行热处理而致之半导体晶圆弯曲量。具有背面电极之半导体装置制造方法系包括准备步骤、热处理步骤以及形成步骤。准备步骤用以准备具表面与背面的半导体晶圆。热处理步骤系于前述半导体晶圆背面上形成第1金属层,并藉由热处理于前述半导体晶圆与前述第1金属层之间形成欧姆接合。形成步骤系于前述热处理步骤后在前述半导体背面上形成由镍所构成的第2金属层。
申请公布号
TW200737382
申请公布日期
2007.10.01
申请号
TW095143544
申请日期
2006.11.24
申请人
三菱电机股份有限公司
发明人
松村民雄;野忠
分类号
H01L21/60(2006.01)
主分类号
H01L21/60(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
日本
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