| 摘要 |
具有耦接至字线与位元线之DRAM单元的动态随机存取记忆体(DRAM)。于自动更新模式中，与偶数列耦接之单元保留先前储存于其中之主资料，并且将辅助资料，其与主资料逻辑上相反，重写至与奇数列之字线耦接的单元。当DRAM进入自动更新模式时，侦测自动更新模式用之开始更新位址。若侦测到的开始更新位址不匹配设定为自动更新操作模式用之预定的正确位址，则于进入丛发自动更新时期中建立假更新周期。于假更新周期中，增添假更新命令以增量内部列位址计数器，该内部列位址计数器提供用于自动更新单元阵列内之选定字线之单元的列位址。 |
