| 主权项 |
1.一种预烧装置,系可使一面之温度上升之半导体 元件冷为预烧温度者,且该半导体元件之一面呈 平面状,并且一旦通电,即发热上升至高于前述预 烧温度之高温,又,该预烧装置之特征在于包含有: 液体供应机构,系可加压供应作为用以进行前述冷 之热介质液体,且具有饱和温度较前述上升时之 前述一面温度为低的液体;及 液体放出机构,系设置成可供应前述前述液体,且 使其减压放出并成为微小粒子而接触前述一面者 。 2.一种预烧装置,系可使一面之温度上升之半导体 元件冷为预烧温度者,且该半导体元件之一面呈 平面状,并且一旦通电,即发热上升至高于前述预 烧温度之高温,又,该预烧装置之特征在于包含有: 液体供应机构,系可加压供应作为用以进行前述冷 之热介质液体,且具有饱和温度较前述上升时之 前述一面温度为低的液体; 分离构件,系设置成可压接前述一面且与该一面分 开,并且在前述压接时覆盖于前述一面,使前述一 面之热可轻易地通过者;及 液体放出机构,系设置成可供应前述前述液体,且 使其减压放出并成为微小粒子而接触前述分离构 件之前述一面的相对侧面。 3.如申请专利范围第1项之预烧装置,其中前述一面 朝向下方。 4.如申请专利范围第1项之预烧装置,更包含有:温 度检测机构,系用以检测前述半导体元件温度者; 流量调整机构,系可调整前述液体流量者;及控制 机构,系可控制前述流量调整机构,使前述温度检 测机构所检测之温度成为前述预烧温度者。 5.如申请专利范围第2项之预烧装置,更包含有:温 度检测机构,系用以检测前述半导体元件温度者; 流量调整机构,系可调整前述液体流量者;及控制 机构,系可控制前述流量调整机构,使前述温度检 测机构所检测之温度成为前述预烧温度者。 6.如申请专利范围第1~5项中任一项之预烧装置,其 中前述液体为水,且前述液体供应机构为水供应机 构,并且前述液体放出机构为水放出机构。 图式简单说明: 第1图系显示一适用于本发明之冷装置全体构造 例的说明图,且第1(a)及1(b)图显示内部之正面及平 面状态。 第2图系显示一使用于前述装置之喷雾器构造例的 截面图。 第3(a)与3(b)图系显示一个以前述装置进行冷元 件之例子的说明图。 第4(a)至4(d)图系显示雾气接触元件之状态的说明 图。 第5(a)至5(c)图系显示另一适用于本发明之冷装 置全体构造例的说明图,且第5(a)与5(b)图显示装置 内部之正面及平面状态,而第5(c)图显示一安装构 造部在安装时之状态例。 第6(a)至6(f)图系显示另一分离构件之压接构造例 的说明图。 第7图系对压接构造进行机械化之例子的说明图, 且第7(a)图及7(b)图显示内部之正面及平面状态。 第8(a)及8(b)图系显示其他适用于本发明之预烧装 置全体构造例子的说明图,并且显示内部之正面状 态。 第9图系适用于本发明预烧装置之控制系统的说明 图。 |
