| 发明名称 |
Verfahren zur Analyse von Silizium-Germanium-Legierungen und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterschichtstrukturen mit Silizium-Germanium-Legierungsschichten |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10146826(B4) |
申请公布日期 |
2004.11.25 |
| 申请号 |
DE20011046826 |
申请日期 |
2001.09.19 |
| 申请人 |
DEUTSCHES ZENTRUM FUER LUFT- UND RAUMFAHRT E.V. |
发明人 |
KLOSE, MANFRED |
| 分类号 |
G01N21/65;(IPC1-7):G01N21/65;H01L21/20;H01L21/66 |
主分类号 |
G01N21/65 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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