发明名称 | 具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程 | ||
摘要 | 本发明提供一种具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程,首先,提供一半导体基底,半导体基底包含有二深沟槽;接着,于每一深沟槽内形成一深沟槽电容,深沟槽电容低于半导体基底表面,于每一深沟槽电容表面上形成一隔绝层;然后,于每一深沟槽内填满一罩幕层,且于深沟槽间的半导体基底上形成一光阻层,其中光阻层覆盖罩幕层的部分表面;以光阻层及罩幕层为蚀刻罩幕,蚀刻半导体基底至低于隔绝层的高度;及去除光阻层及罩幕层,其中深沟槽电容间的突出柱状半导体基底即为一主动区。 | ||
申请公布号 | CN1549334A | 申请公布日期 | 2004.11.24 |
申请号 | CN03136554.X | 申请日期 | 2003.05.23 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 张明成;陈逸男;黄则尧 |
分类号 | H01L21/822;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L21/822 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
主权项 | 1.一种具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底包含有二深沟槽;于每一深沟槽内形成一深沟槽电容,该深沟槽电容低于该半导体基底表面;于每一深沟槽电容表面上形成一隔绝层;于每一深沟槽内填满一罩幕层;于该深沟槽间的该半导体基底上形成一光阻层,其中该光阻层覆盖该罩幕层的部分表面;以该光阻层及该罩幕层为蚀刻罩幕,蚀刻该半导体基底至低于该隔绝层的高度;及去除该光阻层及该罩幕层,其中该深沟槽电容间的突出柱状的该半导体基底即为一主动区。 | ||
地址 | 台湾省桃园县 |