| 发明名称 |
FLOATING GATE MEMORY CELL, FLOATING GATE MEMORY ARRANGEMENT, SWITCHING CIRCUIT ARRANGEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING A FLOATING GATE MEMORY CELL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1479105(A1) |
申请公布日期 |
2004.11.24 |
| 申请号 |
EP20030706311 |
申请日期 |
2003.02.12 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
GRAHAM, ANDREW;HOFMANN, FRANZ;SPECHT, MICHAEL |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824;H01L27/105 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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