用以厘清漏电流发生原因的半导体测试结构

摘要

本发明提供一种半导体测试结构，用以厘清漏电流发生原因，其包含一阱具有一第一导电性，一第一隔离组件位于阱中，至少一第一掺杂区位于第一隔离组件的一侧，此第一掺杂区具有一第二导电性，一第二掺杂区位于第一隔离组件的相反另一侧的阱中，此第二掺杂区具有第一导电性，且其掺杂浓度大于阱，以及对外连接至一接地电压。此种结构可以厘清结或氧化层所导致的漏电流的各种型态，例如面型、场缘型、多晶硅缘型或是栅极缘型的贡献度。

主权项

1.一种半导体测试结构，用以厘清漏电流发生原因，该半导体测试结构包含：一阱具有一第一导电性；一第一隔离组件位于该阱中；至少一第一掺杂区位于该第一隔离组件的一侧，该第一掺杂区具有一第二导电性；及一第二掺杂区位于该第一隔离组件的相反另一侧的该阱中，该第二掺杂区具有该第一导电性，且其掺杂浓度大于该阱，以及对外连接至一接地电压。