发明名称 | 一氧化铌电解电容器阳极及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及电解电容器的电极,尤其是用一氧化铌或掺杂一氧化铌制备的电解电容器阳极及其制造方法。其特征在于:以平均粒度为0.1μm~20μm的一氧化铌或掺杂一氧化铌为原料,经压成坯、真空烧结,再将阳极块赋能,其赋能液为0.01%~0.1%H<SUB>3</SUB>PO<SUB>4</SUB>,赋能电压V<SUB>f</SUB>:10V~80V,赋能温度:10℃~90℃,赋能电流密度:10mA·g<SUP>-1</SUP>~120mA·g<SUP>-1</SUP>,恒压时间:≥0.5h,得到一氧化铌电解电容器阳极。该电解电容器阳极性能稳定,比容高达到40000μF·V·g<SUP>-1</SUP>~200000μF·V·g<SUP>-1</SUP>;漏电流小达到K<5.0×10<SUP>-4</SUP>μA·μF<SUP>-1</SUP>·V<SUP>-1</SUP>,满足电器的大容量化、小型化的要求。 | ||
申请公布号 | CN1549286A | 申请公布日期 | 2004.11.24 |
申请号 | CN03124295.2 | 申请日期 | 2003.05.08 |
申请人 | 中南大学 | 发明人 | 钟晖;李荐;钟海云;杨建文;戴艳阳;岳忠 |
分类号 | H01G9/042;H01G13/00 | 主分类号 | H01G9/042 |
代理机构 | 中南大学专利中心 | 代理人 | 袁翔 |
主权项 | 1.一氧化铌电解电容器阳极,其特征在于:以平均粒度为0.1μm~20μm的一氧化铌或掺杂一氧化铌为原料制造;其掺杂物是阀金属、阀金属低价氧化物中的一种或几种,包括其合金及混合物,其掺杂范围大于0,小于80wt%;其阀金属是铌、钽、钛、钒、铝、锆。 | ||
地址 | 410083湖南省长沙市 |