自对准双位非易失性存储单元及其制造方法

摘要

本发明提供了一种自对准双位非易失性存储单元及其制造方法，该自对准双位非易失性存储单元的结构包括：每一存储单元具有两分离的电荷储存区，分别可储存一位的数据。此两分离的电荷储存区为物理上地分离。控制栅极和保护层位于两分离的电荷储存区之间和上方。而且，此两分离的电荷储存区由自动对准制程制造而成。

主权项

1.一种自对准双位非易失性存储单元，其特征在于包括：一通道；两位线，分别位于该通道的两侧成列状的排列；两隔离线，在对应于该位线的上方；一控制栅极，在该隔离线和该通道上方成行状配置；一保护层位于该控制栅极下方；两分离的电荷储存区由氮化物所组成，分别位于该通道的两侧，其中两分离的电荷储存区间为该控制栅极和该保护层；一底层氧化层，位于该位线和该通道上方，且在该电荷储存区、该隔离线和该保护层下方；以及一顶层氧化层，位于该电荷储存区上方，且在该隔离线和该保护层下方，其中该电荷储存区位于该顶层氧化层和该底层氧化层之间。