混合式集成电路的沟道式电容器的制造方法

摘要

本发明系揭示一种混合式集成电路的沟道式电容器的制造方法，其系在一半导体基底上形成用以隔绝主/被动组件的浅沟道隔离区域时，在预留的复数个浅沟道中依序形成下层电极的多晶硅层、介电层及上电极层，使其结合在一起而制作出沟道式电容器结构。本发明利用制程简单的沟道式电容器取代常用的立体结构电容器，以便在不影响后续制程的前提下，有效增加电容器的表面积并提高其电容量。

主权项

1、一种混合式集成电路的沟道式电容器的制造方法，其系包括下列步骤：在一半导体基底中形成有一用以隔绝主、被动组件的第一浅沟道隔离区域及一第二浅沟道隔离区域；形成一第一图案化光阻层于该半导体基底上，仅露出该第二浅沟道隔离区域，以该第一图案化光阻层为掩膜，去除该第二浅沟道隔离区域内的氧化物而仅留下数浅沟道，随后移除该第一图案化光阻层；在该第一浅沟道隔离区域上依序形成栅极结构、源/漏极区域半导体基本组件，且在形成栅极结构的同时，亦在该第二浅沟道隔离区域上形成一多晶硅层，以作为下电极层；在该半导体基底上依序形成一介电层及一上电极层；形成一第二图案化光阻层于该半导体基底上，以覆盖该第二浅沟道隔离区域，并露出该第一浅沟道隔离区域上的组件；及以该第二图案化光阻层为掩膜，去除露出的该上电极层，使位于该沟道中的该上电极层、介电层及多晶硅层形成一沟道式电容器。