| 发明名称 | 半导体微器件的一种键合方法及其键合强度的检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体微器件的一种键合方法及其键合强度的检测方法。键合方法包括以下步骤：1)设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；2)必要的界面处理；3)进行键合面间的键合对准；4)实施键合。本发明还提供了两种键合强度的检测方法，分别为压臂法和张开型测试法。本发明的方法具有工艺简便、可操作性强、精度高、键合温度低以及成本低等优势，可广泛应用于半导体微器件中的键合或封装中，具有很高的实用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN1549302A | 申请公布日期 | 2004.11.24 |
| 申请号 | CN03130642.X | 申请日期 | 2003.05.06 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 王翔;张大成;李婷;王玮;王颖 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 1、一种半导体微器件的键合方法，包括以下步骤：1)设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；2)必要的界面处理；3)进行键合面间的键合对准；4)实施键合。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||