| 发明名称 | 与半导体装置之射极接点形成接触点 | ||
| 摘要 | 本发明关于一半导体装置，具有一基板(8)，其加工表面(8’)具有一基板法线方向；至少一第一接触点(12，16，22，24，26)以及一第二接触点(14)配置在基板上，第二接触点(14)之一接触点表面系比第一接触点(12，16，22，24，26)之一接触点表面自该基板(8)在该基板法线方向有一较大的距离；以及至少一第一(34)以及一第二(40)图样化金属平面，在其每一中至少一导体，其可被连接到至少一接触点而被形成；第二金属平面(40)系比第一金属平面(34)自基板(8)在基板法线方向有一较大的距离，第二接触点(14)系以电连接到位于其上在基板法线方向之第二金属平面(40)之一导体而无第一金属平面(34)之一导体被连接在其间，以及第一接触点(12，16，22，24，26)系电连接到位于其上在基板法线方向之第一金属平面(34)之一导体。 | ||
| 申请公布号 | CN1550038A | 申请公布日期 | 2004.11.24 |
| 申请号 | CN02817129.2 | 申请日期 | 2002.08.21 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | K·戈尔勒 |
| 分类号 | H01L23/528;H01L21/768;H01L29/417;H01L21/8249 | 主分类号 | H01L23/528 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.半导体装置，具有-一基板(8)，其加工表面(8’)具有一基板法线方向；-至少一第一接触点(12，16，22，24，26)以及一第二接触点(14)配置在该基板上，该第二接触点(14)之一接触点表面系比该第一接触点(12，16，22，24，26)之一接触点表面自该基板(8)在该基板法线方向有一较大的距离；以及-至少一第一(34)以及一第二(40)图样化金属平面，在其每一中至少一导体，其可被连接到至少一该接触点，系被形成；该第二金属平面(40)系比该第一金属平面(34)在自该基板(8)在该基板法线方向有一较大的距离，该第二接触点(14)系以电连接到，位于其上在该基板法线方向上该第二金属平面(40)之一导体而无该第一金属平面(34)之一导体被连接在其间，以及该第一接触点(12，16，22，24，26)系电连接到位于其上在该基板法线方向上该第一金属平面(34)之一导体。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||