有DP阱的BiMOS数模混合集成电路及其制造方法

摘要

一种有DP阱的BiMOS数模混合集成电路的制造方法，在用CMOS工艺在P型衬底上制作N阱和P阱后在N阱中使用光罩定义DP阱的区域，将非DP阱的区域使用光刻胶覆盖，在DP阱的区域进行离子注入制作DP阱，以后的步骤与的双层多晶硅双层金属CMOS制造工艺基本相同。一种用上述制造方法制造的有DP阱的BiMOS数模混合集成电路，包括CMOS集成电路的结构，还包括N阱中扩散形成的DP阱，可形成NMOS管的基极和NPN型Bipolar管。采用上述技术方案，能在一块芯片上结合CMOS器件和Bipolar器件，同时仅增加了少量步骤与成本，达到了以尽可能小的代价获取高性能的BiCMOS芯片的目的。

主权项

1.一种有DP阱的BiMOS数模混合集成电路的制造方法，包括以下步骤：a.用CMOS工艺在P型衬底上制作N阱和P阱；b.使用光罩定义DP阱的区域，将非DP阱的区域使用光刻胶覆盖，在DP阱的区域进行离子注入制作DP阱；c.用CMOS工艺制作有源区；d.铺设多晶硅，包括两层多晶硅，第一层的多晶硅作为MOS管的栅极以及多晶硅电阻和多晶硅电容的下电极，第二层的多晶硅作为多晶硅电阻和多晶硅电容的上电极；e.注入N离子，制作DDD结构，形成NMOS管的源极、漏极以及Bipolar管的发射极和集电极；f.注入P离子，形成PMOS管的源极、漏极以及NPN型Bipolar管的基极；使用CMOS工艺铺设BPSG并制作器件于金属层相连的CONTACT；g.铺设第一金属层、介质层，制作两层金属层相连的VIA并铺设第二金属层；h.用COMS工艺铺设钝化层，之后进行合金化并进行PCM测试，接下来封装，制作完毕。