发明名称 制作互补式金属氧化电晶体的方法
摘要 一种制作互补式金属氧化电晶体的方法,其中基底上具有第一闸极结构和第二闸极结构,依序形成介电层和图案化光阻层于基底上,进行蚀刻制程,使得未被图案化光阻层覆盖之介电层形成侧壁子于第一闸极周围、被图案化光阻层覆盖之介电层形成阻挡层于第二闸极上方。于第一闸极之两侧之基底中形成凹槽,以及于凹槽内分别形成磊晶层。
申请公布号 TW200818401 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW095136829 申请日期 2006.10.04
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 施泓林;朱赞錡
分类号 H01L21/8238(2006.01);H01L21/8248(2006.01) 主分类号 H01L21/8238(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号