发明名称 | 制作互补式金属氧化电晶体的方法 | ||
摘要 | 一种制作互补式金属氧化电晶体的方法,其中基底上具有第一闸极结构和第二闸极结构,依序形成介电层和图案化光阻层于基底上,进行蚀刻制程,使得未被图案化光阻层覆盖之介电层形成侧壁子于第一闸极周围、被图案化光阻层覆盖之介电层形成阻挡层于第二闸极上方。于第一闸极之两侧之基底中形成凹槽,以及于凹槽内分别形成磊晶层。 | ||
申请公布号 | TW200818401 | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
申请号 | TW095136829 | 申请日期 | 2006.10.04 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 施泓林;朱赞錡 |
分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/8248(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |