位元线接触的充填方法

摘要

本发明提供一种位元线接触的充填方法。首先，提供一具有晶胞区及外围线路接触区的半导体基底，晶胞区形成有一晶体管，晶体管具有闸极及源汲极区；接着，于半导体基底上形成一具有第一接触窗的介电层，第一接触窗露出源汲极区的表面，并于介电层及第一接触窗上形成一导电层，且蚀刻导电层形成一开口以露出对应外围线路接触区的介电层；然后，以导电层为罩幕沿上述开口对介电层进行蚀刻至露出外围线路层以形成第二接触窗，并于导电层上形成一填满第一接触窗及第二接触窗的金属层，及依序平坦化金属层及导电层至露出介电层的表面。

主权项

1.一种位元线接触的充填方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底具有一晶胞区及一外围线路接触区，且该晶胞区形成有一晶体管，该晶体管具有一闸极及一源汲极区；于该半导体基底上形成一介电层，该介电层具有一第一接触窗，该第一接触窗露出该源汲极区的表面；于该介电层及该第一接触窗的表面上形成一导电层；蚀刻该导电层形成一开口以露出对应该外围线路接触区的该介电层的部分表面；以该导电层为蚀刻罩幕，沿该开口对该介电层进行非等向性蚀刻至露出该外围线路层，以形成一第二接触窗；于该导电层上形成一金属层，该金属层填满该第一接触窗及该第二接触窗；及依序平坦化该金属层及该导电层至露出该介电层的表面，以留下该第一接触窗及该第二接触窗中的该金属层，其中该第一接触窗中的该导电层为一位元线接触，该第二接触窗中的该金属层为一外围金属层接触。