发明名称 用于LCD或OELD的具有多栅极结构的结晶硅TFT板
摘要 用于LCD或OELD的具有多栅极结构的结晶硅TFT板。本发明涉及用于LCD或OELD的结晶硅TFT板。根据本发明,利用MILC方法,在TFT板的像素区形成包括结晶硅薄膜的像素晶体管和存储电容器,而且还在TFT板的驱动电路区形成驱动晶体管。此外,还在像素晶体管上形成两个或者更多个栅电极,以有效降低像素晶体管的截止电流。因此,本发明的优点在于,可以利用较简单方法,同时制造TFT板的像素区和驱动电路区所需的半导体器件,因此,可以同时分别满足像素区和驱动电路区要求的截止电流特性和导通电流特性。
申请公布号 CN1549230A 申请公布日期 2004.11.24
申请号 CN03128562.7 申请日期 2003.05.07
申请人 PT普拉斯有限公司 发明人 李石运;印泰炯
分类号 G09G3/00;G09G3/36;G02F1/136 主分类号 G09G3/00
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 崔晓光
主权项 1.一种用于TFT LCD或OELD的薄膜晶体管(TFT)板,该薄膜晶体管板包括:透明基板,包括具有多个单元像素的像素区和驱动电路区;至少一个像素晶体管,形成在基板中的像素区的每个单元像素上,而且分别包括结晶硅有源层、栅绝缘层以及栅电极,所述有源层利用金属诱发横向晶化(MILC)方法被晶化;存储电容器,形成在基板的每个单元像素上;以及多个驱动晶体管,形成在基板的驱动电路区中,而且分别包括利用MILC方法晶化的结晶硅有源层、栅绝缘层以及栅电极,其中至少在一个像素晶体管内形成多个栅电极。
地址 韩国汉城