| 发明名称 | 具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构及其制作方法，此结构包括：一基底，其上设置有一绝缘层；复数个半导体岛，分隔地设置于绝缘层上并部分遮蔽上述绝缘层；以及复数个抗凹蚀区(recess－resistant region)，个别地设置于未为此些半导体岛所遮蔽的该绝缘层内。 | ||
| 申请公布号 | CN1549348A | 申请公布日期 | 2004.11.24 |
| 申请号 | CN03156864.5 | 申请日期 | 2003.09.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨育佳;陈豪育;曹训志;杨富量;胡正明 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/76 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构，包括：一基底，其上设置有一绝缘层；复数个半导体岛，分隔地设置于该绝缘层上并部分遮蔽该绝缘层；以及复数个抗凹蚀区(recess-resistantregion)，个别地设置于未为该半导体岛所遮蔽的该绝缘层内。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||