可程式电子开关

摘要

一种可程式电子开关，主要系利用低漏电电容的分压特性，用以提供N型金属氧化矽场效电晶体(N-MOSFET，电子栅)的栅源启始电压，将电源电流泄漏至后端的电源转换电路；当此供应电力控制系统的电源转换电路达到启动电压时，再藉由寄生电源转换电路的高压产生电路，提供高于电源10V以开启电压，以将N-MOSFET完全开启；并透过微处理器之导入，以供使用者自行设定关闭条件，在关闭阶段，系由微处理器提供一关闭讯号，将横跨于N-MOSFET栅源两端的低漏电电容短路，以将电子开关关闭；而开关的开启及关闭时间，均可在十毫秒(10mS)中完成，且开启阻抗低至五毫欧姆(5mΩ)，关闭漏电流在零点二毫安培(200uA)以下。

主权项

1.一种可程式电子开关,包括:一微处理器、一供应微处理器或其他低压电路所需的电压控制型转换器、一N型金属氧化矽场效电晶体(N-MOSFET)、两低漏电电容C1及C2、一泄漏电阻R1、一低电流耦合开关、一触控开关及高压寄生电路;启动时,系藉由触控开关搭接至电源正端,使其可在低漏电电容C1、C2的回路中形成一瞬间电流,并在低漏电电容C2,亦即N-MOSFET的栅、汲极间形成一电压差,使N-MOSFET对电压控制型转换器充电,待电压控制型转换器的输入电压达到启动电压时,该首次的切换电流同步带动高压寄生电路动作,以在低漏电电容C2上形成一基础导通电压,致使N-MOSFET的栅、源极间的电压进入MOSFET全导通区,而将电力系统全部开启;在关闭阶段,系由微处理器发出关闭讯号,以将耦合开关导通,以快速降低低漏电电容C2,使得N-MOSFET之栅、源极间电压至0V,致使N-MOSFE进入截止区,以将所有电源关闭。2.如申请专利范围第1项所述之可程式电子开关,其中该低电流耦合开关可为一光耦合器,该光耦合器系跨接于低漏电电容C2上的讯号开关。3.如申请专利范围第1项所述之可程式电子开关,其中该高压寄生电路可为一感应变压器。图式简单说明:图一为本创作可程式电子开关之电路架构图。