发明名称 功率电感改良结构
摘要 一种功率电感改良结构,其于一铁芯体表面组合一铁芯盖,铁芯体及铁芯盖之间设置一含有内部线圈之封装体;于上述铁芯体设有一配合封装体外形之凹室空间,以及其两侧形成开口,沿凹室空间位置则立设一中心柱;封装体于其两侧边设有凸面,以及一套置定位于铁芯体中心柱之孔,且其两侧边及顶面交接位置制出定位座;依上述线圈两侧设有延伸脚片,并且弯折定位于上述定位座之垂直侧边及水平端边,而构成高于铁芯盖表面之水平接点,以与电路板进行表面黏着。
申请公布号 TWM251269 申请公布日期 2004.11.21
申请号 TW093201893 申请日期 2004.02.11
申请人 亿力科技股份有限公司 发明人 张荣峰
分类号 H01F27/30 主分类号 H01F27/30
代理机构 代理人
主权项 1.一种功率电感改良结构,其于一铁芯体表面组合一铁芯盖,铁芯体及铁芯盖之间设置一含有内部线圈之封装体;于上述铁芯体设有一配合封装体外形之凹室空间,以及其两侧形成开口,沿凹室空间中央位置则立设一中心柱;封装体于其两侧边设有凸面,以及一套置定位于铁芯体中心柱之中央孔,且其两侧边及顶面交接位置制出定位座;依上述线圈两侧设有延伸脚片,并且弯折定位于上述定位座之垂直侧边及水平端边,而构成高于铁芯盖表面之水平接点。2.如申请专利范围第1项所述功率电感改良结构,其中该铁芯盖设有两侧缺口,以容纳封装体之两侧定位座。3.如申请专利范围第1项所述功率电感改良结构,其中该封装体之定位座设有配合线圈脚片之垂直凹面及水平凹面。图式简单说明:第1图系本创作较佳实施例立体图;第2图系第1图之断面剖视图;第3图系第1图之元件分解图;第4图系第1图内部线圈加工前立体图;第5图显示第4图之线圈压缩状态图;以及第6图显示第5图线圈封装状态图。
地址 桃园县八德市和成路二十八号