| 主权项 |
1.一种聚合PTC组成物,其包含有机聚合物、颗粒状传导性填料及包含原纤化纤维之惰性填料。2.如申请专利范围第1项之组成物,其更包含有一或多种选自阻燃剂、稳定剂、抗氧化剂、抗臭氧剂、加速剂、色料、发泡剂、交联剂、偶合剂、共同试剂及分散剂之添加剂。3.如申请专利范围第1项之组成物,其中该聚合物包含结晶或半结晶之聚合物。4.如申请专利范围第1项之组成物,其中该有机聚合物包含至少一选自高密度聚乙烯、耐纶-11、耐纶-12、聚亚乙烯基氟化物及其混合物或共聚物之聚合物。5.如申请专利范围第1项之组成物,其中该聚合物具有100℃至250℃之熔点(Tm)。6.如申请专利范围第5项之组成物,其中该组成物于Tm至Tm减10℃之温度范围展现4.010-4至2.010-3cm/cm℃之热膨胀系数。7.如申请专利范围第1项之组成物,其于25℃时具有100cm或更少之电阻。8.如申请专利范围第1项之组成物,其中该惰性填料系以0.25 phr至50.0 phr间之含量存在。9.如申请专利范围第1项之组成物,其中该惰性填料系以0.5 phr至10.0 phr间之含量存在。10.如申请专利范围第1项之组成物,其中该颗粒状传导性填料系选自碳黑、石墨、金属颗粒或此等之混合物。11.如申请专利范围第10项之组成物,其中该金属颗粒系选自镍颗粒、银碎片或钨、钼、金、铂、铁、铝、铜、钽、锌、钴、铬、铅、钛、锡合金之颗粒及其等之混合物。12.如申请专利范围第1项之组成物,其中该无机稳定剂系选自氧化镁、氧化锌、氧化铝、氧化钛、碳酸钙、碳酸镁、氧化铝三水合物、氢氧化镁及其等之混合物。13.如申请专利范围第1项之组成物,其中该抗氧化剂包含酚或芳族胺。14.如申请专利范围第13项之组成物,其中该抗氧化剂系选自N,N'-1,6-己烷二基双(3,5-双(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-苯)丙醯胺、N-硬脂醯基-4-胺基酚、N-月桂醯基-4-胺基酚。聚合化之1,2-二氢-2,2,4-三甲基及其等之混合物。15.如申请专利范围第1项之组成物,其中该颗粒状传导性填料系以15.0 phr至150.0 phr间之含量存在。16.如申请专利范围第1项之组成物,其中该颗粒状传导性填料系以60.0 phr至120.0 phr间之含量存在。17.如申请专利范围第1项之组成物,其中该聚合物组成物系藉由化学试剂或藉由辐射之助交联之。18.如申请专利范围第1项之组成物,其进一步包含0.5%至50.0%之第二结晶或半结晶聚合物,其系以总聚合物组份为基准计。19.如申请专利范围第18项之组成物,其中该第二聚合物具有100℃至250℃之熔融温度Tm。20.如申请专利范围第18项之组成物,其中该第二聚合物于Tm至Tm减10℃之温度范围具有之热膨胀系数系比25℃时之热膨胀系数至少大4倍。21.如申请专利范围第18项之组成物,其中该第二聚合物系选自以聚烯烃为主或以聚酯为主之热塑性弹性体,及其混合物及共聚物。22.如申请专利范围第1项之组成物,其中该聚合PTC组成物于其切换温度时具有之电阻系25℃时之电阻之至少104至105倍,组成物能抵抗110至130 VAC或更大之电压,且保持电稳定性及热稳定性。23.一种展现PTC行为之电装置,其包含:(a)传导性聚合物组成物,其包含结晶或半结晶之聚合物、颗粒状传导性填料及包括有原纤化纤维之惰性填料;其中该组成物于25℃时具有100cm或更少之电阻,该组成物于25℃时具有100cm或更少之电阻,且于其切换温度时之电阻系于25℃时之电阻之至少104至105倍;及(b)至少二电极,其系与该传导性聚合物组成物电连接,以使DC或AC电流于施加电压下通过该组成物,其中该装置于25℃时具有500m或更少之电阻,且具有所欲设计之几何形状。24.如申请专利范围第23项之组成物,其更包含有一或多种选自阻燃剂、稳定剂、抗氧化剂、抗臭氧剂、加速剂、色料、发泡剂、交联剂、偶合剂、共同试剂及分散剂之添加剂。25.如申请专利范围第23项之装置,其中该装置能抵抗110至130 VAC或更大之电压,且于达其切换温度后至少4小时系无损坏。26.如申请专利范围第23项之装置,其中该装置于25℃时具有5.0m至400m之电阻。27.如申请专利范围第23项之装置,其中该装置于25℃时具有10m至100m之电阻。28.如申请专利范围第23项之装置,其中该有机聚合物包含至少一选自高密度聚乙烯、耐纶-11、耐纶-12、聚亚乙烯基氟化物及其混合物或共聚物之聚合物。29.如申请专利范围第23项之装置,其进一步包含电端子,其系藉由具有高于该组成物之切换温度至少10℃之熔融温度之焊料焊接至电极。30.如申请专利范围第23项之装置,其中该焊料系具180℃或更大之熔点。31.如申请专利范围第23项之装置,其中该焊料系具220℃或更大之熔点。32.如申请专利范围第23项之装置,其中该惰性填料系以0.25 phr至50.0 phr间之含量存在。33.如申请专利范围第23项之装置,其中该惰性填料系以0.5 phr至10.0 phr间之含量存在。34.如申请专利范围第23项之装置,其进一步包含0.5%至50.0%之第二结晶或半结晶聚合物,其系以总聚合物组份为基准计。35.如申请专利范围第34项之装置,其中该第二聚合物系选自以聚烯烃为主或以聚酯为主之热塑性弹性体。36.如申请专利范围第23项之装置,其系藉由压缩模制生产。37.如申请专利范围第23项之装置,其系藉由挤塑/层合作用生产。38.如申请专利范围第23项之装置,其射出成型生产。39.如申请专利范围第23项之装置,其具有25℃时之起始电阻Ro及于110至130 VAC时失速Y分钟后之于25℃时之电阻Ry,且(Ry-Ro)/Ro之値系少于Ro之1.5倍。40.如申请专利范围第23项之装置,其具有25℃时之起始电阻Ro及X次至该切换温度及回到25℃之周期之于25℃时之电阻Rx,且(Rx-Ro)/Ro之値系少于Ro之3倍。图式简单说明:第1图系图示PTC切片,其包含被夹于二金属电极间之本发明之聚合PTC组成物。第2图系图示依据本发明之PTC装置之实施例,其包含具二附接端子之第1图之PTC切片。 |
