| 主权项 |
1.一有机电激发光元件,在它的电洞注入电极和电子注入电极之间至少夹一层由有机材料所组成的发光层,而这些发光层是由二个主发光体(A)缩合多苯环式芳香族化合物、(B)有机金属钳合物以及一个客发光体掺杂物(C)萤光性染料所组成;其中,成份(A)的化学结构是由一个或一个以上的苯环或缩合苯环所组成;而缩合苯环是以一个苯环作为基本的单位,并以2至10个的数目缩合而成结构;这些苯环或缩合苯环可为非取代性或取代性,但其取代基仅限于碳数为1至3的烷基、烯基、烷氧基,或氰基。2.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(A)可为下列通式(I)来表示:R1~R6可为个别独立的氢或碳数为1至3的烷基、烯基、烷氧基,或氰基。3.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(A)可为下列通式(Ⅱ)来表示:R1~R4可为个别独立的氢或碳数为1至3的烷基、烯基、烷氧基,或氰基。4.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(A)可为下列通式(Ⅲ)来表示:R1~R6可为个别独立的氢或碳数为1至3的烷基、烯基、烷氧基,或氰基。5.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(A)可为下列通式(Ⅳ)来表示:R1~R4可为个别独立的氢或碳数为1至3的烷基、烯基、烷氧基,或氰基。6.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(A)可为下列通式(Ⅴ)来表示:R1~R4可为个别独立的氢或碳数为1至3的烷基、烯基、烷氧基,或氰基。7.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(A)为rubrene、perylene、ADN、MADN、EADN、DPA或pyrene。8.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(B)为一有机金属螯合物,在它的化学结构中有含一个或一个以上氮原子的配位基。9.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中的成份(B)可由下列的通式(Ⅵ)来表示:M-XmYn (Ⅵ)其中,M代表二价或三价的金属;X代表含有一个或一个以上氮原子的配位基;Y代表不含氮原子的配位基;m代表数目1、2或3,而n代表数目0、1或2,而m+n为2或3。10.如申请专利范围第9项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(B)的X配位子可以用下列通式(Ⅶ)来表示:R1~R9可为个别独立的氢或任何取代基。11.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(B)为Alq3、BeBq2、Inq3、Gaq3、Almq3、BAlq、NAlq3。12.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(A)对成份(B)的掺杂重量比例为5:95至95:5,最适的范围为20:80至80:20。13.如申请专利范围第1项所制作的机电激发光元件,其发光层中成份(C)的能隙能量小于成份(A)及成份(B)的能隙能量。14.如申请专利范围第1项所制作的有机电激发光元件,其发光层中成份(C)的发光位置介于450nm~700nm。15.如申请专利范围第1项所制成的有机电激发光元件,其成份(C)之化学构造式可为下列化1、化2及化3等3种构造式的任一种:上述构造式中所表示的R1~R12为个别独立的氢或任何取代基。图式简单说明:图式一:依照本发明之有机电激发光装置的简化截面图。图式二:在单层式有机电激发光元件下,rubrene/Alq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度的作图。图式三:在多层式有机电激发光元件下,rubrene/Alq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式四:在多层式有机电激发光元件下,perylene/Alq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式五:在多层式有机电激发光元件下,pyrene/Alq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式六:在多层式有机电激发光元件下,DPA/Alq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式七:在多层式有机电激发光元件下,ADN/Alq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式八:在多层式有机电激发光元件下,MADN/Alq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式九:在多层式有机电激发光元件下,EADN/Alq3掺杂2wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式十:在多层式有机电激发光元件下,rubrene/Gaq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式十一:在多层式有机电激发光元件下,rubrene/Inq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式十二:在多层式有机电激发光元件下rubrene/BeBq2掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式十三:在多层式有机电激发光元件下rubrene/A1mq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式十四:在多层式有机电激发光元件下,ADN/A1q3掺杂1 wt% C545T之发光效率对电流密度作图。图式十五:在多层式有机电激发光元件下,ADN/BAlq掺杂1 wt% C545T之发光效率对电流密度作图。图式十六:在多层式有机电激发光元件下,ADN/Alq3掺杂1 wt% TBP之发光效率对电流密度作图。图式十七:在多层式有机电激发光元件下,A1q3掺杂2wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式十八:在多层式有机电激发光元件下,ADN掺杂2wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式十九:在多层式有机电激发光元件下,rubrene/A1q3之发光效率对电流密度作图。图式二十:在多层式有机电激发光元件下,NPB/A1q3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度作图。图式二十一:在多层式有机电激发光元件下,rubrene/NPB掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度。图式二十二:rubrene之电洞迁移率的量测与比较。图式二十三:TTBRb之电洞迁移率的量测与比较。图式二十四:在多层式有机电激发光元件下,TTBRb/Alq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度。图式二十五:在多层式有机电激发光元件下,TBP/Alq3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度。图式二十六:在多层式有机电激发光元件下,TBADN/A1q3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度。图式二十七:在多层式有机电激发光元件下,TTBADN/A1q3掺杂2 wt% DCJTB之发光效率对电流密度。 |
