| 主权项 |
1.一种表面发射式半导体雷射晶片,其半导体本体(1)之至少一部份包含:一种具有晶体主方向(7)之晶体结构;一辐射发出面(4):及在横向中界定该半导体本体(1)所用之侧面(5),其特征为:至少一个侧面(5)倾斜于该晶体主方向(7)而配置着。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射晶片,其中该半导体本体(1)具有一种平行于辐射发出面(4)之正方形-或长方形横切面。3.如申请专利范围第1或2项之半导体雷射晶片,其中至少一晶体主方向(7),特别是[100]方向,系平行于辐射发出面(4)而延伸,且至少一个侧面(5)是与该晶体主方向形成一种介于40和50之间之角度,较佳是45。4.如申请专利范围第1项之半导体雷射晶片,其中该半导体雷射晶片包含一种基板(2),其至少一部份具有一种晶体结构。5.如申请专利范围第1或2项之半导体雷射晶片,其中该半导体本体含有一种III-V-化合物半导体,特别是GaAs或AlGaAs及/或氮化物-化合物半导体。6.如申请专利范围第1或4项之半导体雷射晶片,其中半导体雷射晶片是一种VCSEL。7.一种表面发射式半导体雷射晶片之制造方法,其半导体晶圆以多个表面发射式半导体结构制成,该半导体晶圆具有晶体主方向且沿着一条分割线而分割成多个半导体雷射晶片,其特征为:各分割线倾斜(即,既不平行亦不垂直)于晶体主方向而配置着,且对该晶圆进行切锯或藉由蚀刻方法来划分该晶圆。8.如申请专利范围第7项之半导体雷射晶片之制造方法,其中该半导体晶圆在分割时沿着各分割线而被切锯或蚀刻。9.如申请专利范围第7或8项之半导体雷射晶片之制造方法,其中各分割线是与该晶体主力向形成一种介于40和50之间之角度,较佳是45。10.如申请专利范围第7项之半导体雷射晶片之制造方法,其中半导体雷射晶片是一种VCSEL。图式简单说明:第1图 本发明表面发射式半导体雷射晶片之第一实施例之透视图。第2图 第一实施例之切面图。第3图 本发明表面发射式半导体雷射晶片之第二实施例之俯视图。 |
