| 主权项 |
1.一种以AlGaInP为主之发出电磁辐射之半导体晶片之制造方法,其包含以下各步骤:-制备一种基板(12);-在该基板上施加一种半导体层序列,其含有一种发出光子之活性层(22);-施加一种透明之射出层(16);其特征为:-该基板(12)由锗所形成且-该透明之射出层(16)是在一种温度范围最大是800℃时施加而成。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该透明之射出层(16)是在使用第三丁基磷作为磷源时施加而成。3.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中该透明之射出层(16)在温度小于780℃(较佳是小于750℃)时施加而成。4.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中该透明之射出层(16)在温度700℃时施加而成。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该透明之射出层(16)是在使用三甲基镓作为镓源时施加而成。6.如申请专利范围第1,2或5项之制造方法,其中该透明之射出层(16)藉由有机金属气相磊晶(MOVPE)方法生长而成。7.如申请专利范围第1,2或5项之制造方法,其中该射出层包含Gax(InyAl1-y)1-xP,其中0.8≦x且0≦y≦1,特别是含有GaP。8.如申请专利范围第6项之制造方法,其中该透明之射出层(16)在V/III-比(ratio)是5至20(较佳是10)时生长而成。9.如申请专利范围第7项之制造方法,其中该透明之射出层(16)在V/III-比(ratio)是5至20(较佳是10)时生长而成。10.一种以AlGaInP为主之发出电磁辐射之半导体晶片,其包含:-一种基板(12);-一在该基板上施加而成之半导体层序列(14),其含有一种发出光子之活性层(22);-一配置在该半导体层序列(14)上之透明之射出层(16),其特征为:-该基板(12)由锗所形成。11.如申请专利范围第10项之发出电磁辐射之半导体晶片,其中该透明之射出层(16)包含Gax(InyAl1-y)1-xP,其中0.8≦x且0≦y≦1,特别是含有GaP。12.如申请专利范围第10或11项之发出电磁辐射之半导体晶片,其中该透明之射出层(16)之厚度介于1um和10um之间,特别是介于2um和10um之间。图式简单说明:第1图 本发明之实施例中一种发出辐射之半导体组件之切面图。 |
