| 主权项 |
1.一种供晶片尺寸封装用之插件之制造方法,包括下列步骤:(1)在包含可使用作为电镀之阴极之金属之作为阴极的基材上形成第一绝缘层;(2)在对应于供连接用之物体之导体部分之该第一绝缘层的位置形成第一开口,以使该基材之表面暴露至开口之内部底部;(3)利用电镀使用该基材作为阴极,将该第一开口填补金属,因而在第一开口中形成导电性路径;(4)在该第一绝缘层上形成与该导电性路径接触之电路图型;及(5)将该基材部分或完全移除,以使包括该导电性路径之端面之该第一绝缘层暴露。2.如申请专利范围第1项之插件之制造方法,其中该供连接用之物体的导电性部分为晶片之电极。3.如申请专利范围第1项之插件之制造方法,其中该供连接用之物体的导体部分为电路板之导体部分。4.如申请专利范围第1或2项之插件之制造方法,其中该第一绝缘层包括感光性及热熔型黏着剂树脂。5.如申请专利范围第1项之插件之制造方法,其于步骤(4)之后更包括下列步骤:形成第二绝缘层以覆盖该电路图型;及形成使该电路图型暴露之第二开口。6.如申请专利范围第1项之插件之制造方法,其中该供连接用之物体的导体部分为电路板之导体部分,及于步骤(4)之后,此方法更包括下列步骤:形成第二绝缘层以覆盖该电路图型;形成在作为供连接用物体之晶片之电极之位置使该电路图型暴露之第二开口;及将第二开口填补金属。7.如申请专利范围第6项之插件之制造方法,其中该第一绝缘层包括感光性树脂,及该第二绝缘层包括感光性及热熔型黏着剂树脂。8.如申请专利范围第1项之插件之制造方法,其中在步骤(5)中,将该作为阴极之基材移除,而在其周边留下用于支承插件之框架。9.如申请专利范围第1项之插件之制造方法,其中该基材具有足以设置多个供晶片尺寸封装用之插件的外部尺寸,及该多个插件系以使其聚集于该基材上,且于步骤(1)至(5)之后可以个别组件分离之状态形成于该基材上。10.如申请专利范围第9项之插件之制造方法,其中在步骤(5)中,将该基材移除,而留下个别包围及支承多个插件之框架。11.如申请专利范围第9项之插件之制造方法,其中在步骤(5)中,将该基材移除,而留下整体包围多个插件之框架。12.一种供晶片尺寸封装用之插件,其系利用申请专利范围第1项之制法所制成,且其外围具有金属框架。13.一种供晶片尺寸封装用之插件之中间体,该插件系利用申请专利范围第1项之制法所制成,而此中间体包含:以片状集合物设置之多个供晶片尺寸封装用之插件;及设于该集合物之周边上之整体包围所有该多个插件之金属框架。14.一种供晶片尺寸封装用之插件之中间体,该插件系利用申请专利范围第1项之制法所制成,而此中间体包含:以片状集合物设置之多个供晶片尺寸封装用之插件;及各别设于各该个别插件之周边上之多个金属框架。图式简单说明:图1A至1C系在利用根据本发明之方法制造插件之方法中之插件之单一触点的放大剖面图;图2A及2B系在利用根据本发明之方法制造之典型插件中,盖于阴极基材上之移除图型之图;图3系利用根据本发明之方法制造之插件的剖面图;图4A至4F系用于说明根据本发明之形态(Ⅰ)制造插件之方法之插件的剖面图;图5A至5F系用于说明根据本发明之形态(Ⅱ)制造插件之方法之插件的剖面图;图6A及6B系用于说明根据本发明制造触点之方法之图,及图6C及6D系用于说明根据习知技艺制造触点之方法之图;图7A及7B系习知插件之剖面图;及图8A至8E系用于说明根据习知技艺制造插件之方法之插件的剖面图。 |
