| 主权项 |
1.一种制造微机电结构(MEMS)之方法,包含:于一基板之一区上,形成多数三维第一结构;于形成第一结构后,随形地于基板该区上方引进一种牺牲材料;于牺牲材料上方引进一第二结构材料;以及移除该牺牲材料。2.如申请专利范围第1项之方法,于移除牺牲材料后,进一步包含暴露部份牺牲材料。3.如申请专利范围第2项之方法,其中暴露部份牺牲材料包含移除部份第二结构材料。4.如申请专利范围第1项之方法,于引进第二结构材料前,进一步包含图样化牺牲材料。5.如申请专利范围第1项之方法,其中第一结构材料包含矽,以及牺牲材料包含二氧化矽以及引进牺牲材料包含生长。6.如申请专利范围第1项之方法,其中移除牺牲材料包含悬吊第二结构材料做为第二结构耦合至第一结构。7.如申请专利范围第1项之方法,其中图样化第一结构界定多数由第一结构占据之基板第一区部份,以及至少一个不含第一结构之基板第二区部份,以及引进牺牲材料包含将牺牲材料至少引至第二区上方。8.一种制造微机电结构(MEMS)之方法,包含:于一基板表面之一区上,以微影术图样化多数第一结构,该多数第一结构具有关于基板表面之第一维度以及不同的第二维度;于形成第一结构后,随形地于基板该区上方引进一种牺牲材料;于牺牲材料上方引进一种第二结构材料;以及移除该牺牲材料。9.如申请专利范围第8项之方法,于形成第二结构前,进一步包含图样化牺牲材料。10.如申请专利范围第8项之方法,于移除牺牲材料后,进一步包含暴露部份牺牲材料。11.如申请专利范围第9项之方法,其中暴露部份牺牲材料包含移除部份第二结构材料。12.如申请专利范围第8项之方法,其中该牺牲材料包含二氧化矽,以及引进牺牲材料包含生长。13.如申请专利范围第8项之方法,其中移除牺牲材料包含以第一结构悬吊第二结构。14.一种微机电结构装置,包含:一第一结构于一基板上;以及一第二结构于该基板上,该第二结构与第一结构系藉被移除之薄膜厚度界定的未经填补间隙所隔开。15.如申请专利范围第14项之装置,进一步包含多数第三结构,其中该第二结构系悬吊于多数第二结构间。16.如申请专利范围第15项之装置,其中该第二结构系以由被移除的薄膜厚度界定的未经填补间隙而悬吊于基板上方。17.如申请专利范围第15项之装置,进一步包含电源耦合至多数第三结构之一。图式简单说明:图1显示谐振器结构之具体实施例之顶视透视示意图。图2显示于形成微机电结构方法之第一实例,有部份结构材料形成于其上之基板部份之示意剖面侧视图。图3显示图样化第一结构材料后,图2之结构。图4显示于随形引进牺牲层于结构上后,图3之结构。图5显示图样化牺牲材料后图4之结构。图6显示将第二结构材料导入基板上方后图5之结构。图7显示于平面化结构表面后图6之结构。图8显示移除牺牲层后图7之结构。图9显示根据第一实例之第二具体实施例,引进宽间隙后图7之结构。图10显示移除牺牲层后图9之结构。图11显示于形成微机电结构之第二实例中,有一牺牲层引进其上之基板部份之示意剖面侧视图。图12显示图样化牺牲材料后图11之结构。图13显示引进第二结构于基板上后图12之结构。图14显示图样化第一结构材料后图13之结构。图15显示引进第二牺牲材料于基板上后图14之结构。图16显示图样化第二牺牲材料后图15之结构。图17显示引进第二结构材料于基板上后图16之结构。图18显示平面化结构表面后图17之结构。图19显示移除第一及第二牺牲材料后图18之结构。图20显示根据第二实例之形成结构之第二具体实施例,于引进宽间隙后图18之结构。图21显示移除第一及第二牺牲材料后图20之结构。图22显示根据形成微机电结构之第三实例,带有第一结构材料形成于其上之基板部份之示意剖面侧视图。图23显示于图样化第一结构材料后图22之结构。图24显示于随形引进第一牺牲材料于结构上后图23之结构。图25显示图样化第一结构材料后图24之结构。图26显示于随形引进第二牺牲材料于结构上后图25之结构。图27显示图样化第二牺牲材料后图26之结构。图28显示于引进第二结构材料于结构上方后图27之结构。图29显示于平面化结构表面后图28之结构。图30显示于移除第一及第二牺牲材料后图29之结构。图31显示根据第三实例之第二具体实施例,引进宽间隙后图28之结构。图32显示移除第一及第二牺牲材料后图31之结构。 |
