| 主权项 |
1.一种热写磁读记录媒体,其特征在于以一单层非 晶质CoTbAg薄膜作为热写磁读(HAMER, Heat Assisted Magnetic Recording)之记录媒体,而该单层非晶质CoTbAg 薄膜系以磁控溅镀方式制造而成。 2.如申请专利范围第1项所述之热写磁读记录媒体, 其中该单层非晶质CoTbAg薄膜之制造方法的步骤为: 提供一基板及一靶材,置于一磁控溅镀系统之腔体 内;以及 因应该靶材进行磁控溅镀,在该基板上镀制一单层 非晶质CoTbAg薄膜。 3.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体, 其中该基板为一表面自然氧化之矽晶圆。 4.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体, 其中该基板为一主要成分为氧化矽之玻璃。 5.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体, 其中该靶材为一CoTbAg合金靶材。 6.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体, 其中该靶材系采Co靶材、Tb靶材和Ag靶材三靶共镀 。 7.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体, 其中该磁控溅镀系统之溅镀枪的电源供应为一直 流(DC)电源。 8.如申请专利范围第7项所述之热写磁读记录媒体, 其中该直流电源的功率密度以1至5 W/cm2为主。 9.如申请专利范围第7项所述之热写磁读记录媒体, 其中该直流电源的功率密度以3 W/cm2为最佳。 10.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体 ,其中该磁控溅镀系统之溅镀枪的电源供应为一射 频(RF)电源。 11.如申请专利范围第10项所述之热写磁读记录媒 体,其中该射频电源之功率密度以3至7 W/cm2为主。 12.如申请专利范围第10项所述之热写磁读记录媒 体,其中该射频电源之功率密度以5 W/cm2为最佳。 13.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体 ,其中该磁控溅镀系统之反应气体为氩气,氩气之 分压以2至12毫托耳为主。 14.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体 ,其中该磁控溅镀系统之反应气体为氩气,氩气之 分压以8毫托耳为最佳。 15.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体 ,其中该基板之温度系低于摄氏50度。 16.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体 ,其中该基板之温度以摄氏25度为最佳。 17.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体 ,其中该单层非晶质CoTbAg薄膜中,CoTbAg之组成(原子 百分比)系介于Co68.15Tb30.52Ag1.33与Co43.8Tb30.52Ag25.68 之间。 18.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体 ,其中该单层非晶质CoTbAg薄膜中,CoTbAg组成(原子百 分比)系以Co67.23Tb30.52Ag2.25为最佳。 19.如申请专利范围第2项所述之热写磁读记录媒体 ,其中在常温下镀制的该单层非晶质CoTbAg薄膜,其 饱和磁化量(Ms)在300 emu/cm3以上,垂直膜面方向之顽 磁力(Hc)则在3000 Oe以上,且垂直膜面方向之角形比 在0.8以上。 20.一种单层非晶质CoTbAg薄膜的制造方法,其步骤为 : 提供一基板及一CoTbAg合金靶材,置于一磁控溅镀系 统之腔体内;以及 因应该CoTbAg合金靶材进行磁控溅镀,在该基板上镀 制一单层非晶质CoTbAg薄膜。 21.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该基板为一表面自然氧化之 矽晶圆。 22.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该基板为一主要成分为氧化 矽之玻璃。 23.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该磁控溅镀系统之溅镀枪的 电源供应为一直流(DC)电源。 24.如申请专利范围第23项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该直流电源的功率密度以1 至5 W/cm2为主。 25.如申请专利范围第23项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该直流电源的功率密度以3 W /cm2为最佳。 26.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该磁控溅镀系统之溅镀枪的 电源供应为一射频(RF)电源。 27.如申请专利范围第26项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该射频电源之功率密度以3 至7 W/cm2为主。 28.如申请专利范围第26项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该射频电源之功率密度以5 W /cm2为最佳。 29.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该磁控溅镀系统之反应气体 为氩气,氩气之分压以2至12毫托耳为主。 30.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该磁控溅镀系统之反应气体 为氩气,氩气之分压以8毫托耳为最佳。 31.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该基板之温度系低于摄氏50 度。 32.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该基板之温度以摄氏25度为 最佳。 33.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该单层非晶质CoTbAg薄膜中, CoTbAg之组成(原子百分比)系介于Co68.15Tb30.52Ag1.33与 Co43.8Tb30.52 Ag25.68之间。 34.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该单层非晶质CoTbAg薄膜中, CoTbAg组成(原子百分比)系以Co67.23 Tb30.52Ag2.25为最 佳。 35.如申请专利范围第20项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中在常温下镀制的该单层非晶 质CoTbAg薄膜,其饱和磁化量(Ms)在300 emu/cm3以上,垂 直膜面方向之顽磁力(Hc)则在3000 Oe以上,且垂直膜 面方向之角形比在0.8以上。 36.一种单层非晶质CoTbAg薄膜的制造方法,其步骤为 : 提供一基板,以及一Co靶材、一Tb靶材和一Ag靶材, 置于一磁控溅镀系统之腔体内;以及 因应该Co靶材、该Tb靶材及该Ag靶材进行磁控溅镀, 在该基板上共镀一单层非晶质CoTbAg薄膜。 37.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该基板为一表面自然氧化之 矽晶圆。 38.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该基板为一主要成分为氧化 矽之玻璃。 39.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该磁控溅镀系统之溅镀枪的 电源供应为一直流(DC)电源。 40.如申请专利范围第39项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该直流电源的功率密度以1 至5 W/cm2为主。 41.如申请专利范围第39项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该直流电源的功率密度以3 W /cm2为最佳。 42.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该磁控溅镀系统之溅镀枪的 电源供应为一射频(RF)电源。 43.如申请专利范围第42项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该射频电源之功率密度以3 至7 W/cm2为主。 44.如申请专利范围第42项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该射频电源之功率密度以5 W /cm2为最佳。 45.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该磁控溅镀系统之反应气体 为氩气,氩气之分压以2至12毫托耳为主。 46.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该磁控溅镀系统之反应气体 为氩气,氩气之分压以8毫托耳为最佳。 47.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该基板之温度系低于摄氏50 度。 48.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该基板之温度以摄氏25度为 最佳。 49.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该单层非晶质CoTbAg薄膜中, CoTbAg之组成(原子百分比)系介于Co68.15Tb30.52Ag1.33与 Co43.8Tb30.52Ag25.68之间。 50.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中该单层非晶质CoTbAg薄膜中, CoTbAg组成(原子百分比)系以Co67.23 Tb30.52Ag2.25为最 佳。 51.如申请专利范围第36项所述之单层非晶质CoTbAg 薄膜的制造方法,其中在常温下镀制的该单层非晶 质CoTbAg薄膜,其饱和磁化量(Ms)在300 emu/cm3以上,垂 直膜面方向之顽磁力(Hc)则在3000 Oe以上,且垂直膜 面方向之角形比在0.8以上。 图式简单说明: 第一图:本案较佳实施例之一,Co36.48Tb30.52Ag33薄膜 之TEM(a)明视野照片及(b)选区电子绕射图形。 第二图:本案较佳实施例之二,不同Ag含量之Co69.48 XTb30.52Agx非晶质薄膜的(a)饱和磁化量Ms、垂直膜面 残留磁化量Mr和Ag含量的关系,(b)垂直膜面顽磁力Hc 和Ag含量的关系。 第三图:本案较佳实施例之三,室温下,Co67.23Tb30.52Ag 2.25非晶质薄膜之垂直膜面磁滞曲线。 第四图:本案较佳实施例之四,Co67.23Tb30.52Ag2.25非晶 质薄膜之Ms及Hc和温度的关系。 |
