| 主权项 |
1.一种半导体压力感测器(semiconductor pressure sensor), 其包含有: 一非单晶矽基底; 一可动的绝缘隔膜(diaphragm);至少一压电电阻( piezoresistor)设于该绝缘隔膜上; 一绝缘支承构件(supporter)设于该非单晶矽基底上, 用来固定该绝缘隔膜之两端,使得该绝缘隔膜与该 非单晶矽基底之间形成一模穴(cavity);以及 一薄膜电晶体(thin film transistor,TFT)控制电路设于 该非单晶矽基底上,并电连接于该绝缘隔膜与该压 电电阻。 2.如申请专利范围第1项之半导体压力感测器,其中 该非单晶矽基底系为一玻璃基底。 3.如申请专利范围第2项之半导体压力感测器,其中 该薄膜电晶体控制电路系为一低温复晶矽(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜电晶体控制电路。 4.如申请专利范围第1项之半导体压力感测器,其中 该非单晶矽基底系为一石英基底。 5.如申请专利范围第4项之半导体压力感测器,其中 该薄膜电晶体控制电路系为一高温复晶矽(high temperature polysilicon,HTPS)薄膜电晶体控制电路。 6.如申请专利范围第1项之半导体压力感测器,其中 该绝缘隔膜与该绝缘支承构件系为一体成型。 7.如申请专利范围第6项之半导体压力感测器,其中 该绝缘隔膜与该绝缘支承构件皆系包含有二氧化 矽。 8.如申请专利范围第1项之半导体压力感测器,其中 该压电电阻系包含有掺杂(doped)复晶矽。 9.如申请专利范围第1项之半导体压力感测器,其中 该压电电阻系为一压电薄膜(piezoelectric thin film)。 10.如申请专利范围第9项之半导体压力感测器,其 中该压电薄膜矽包含有氧化锌(ZnO)、钛酸钡陶瓷( BaTiO3或钛酸铅铬陶瓷(PbZrTiO3,PZT)。 11.如申请专利范围第1项之半导体压力感测器,其 中该非单晶矽基底表面另包含有一TFT显示区域,系 用来显示该半导体加速感测器所侦测到的压力变 化値。 12.一种半导体压力感测器(semiconductor pressure sensor) ,其包含有: 一绝缘基底; 一可动的绝缘隔膜(diaphragm); 一压电电阻(piezoresistor)设于该绝缘隔膜上; 一绝缘支承构件(supporter)设于该绝缘基底上,用来 固定该绝缘隔膜之两端,使得该绝缘隔膜与该绝缘 基底之间形成一模穴(cavity);以及 一控制电路(control circuit)电连接于该绝缘隔膜与 该压电电阻。 13.如申请专利范围第12项之半导体压力感测器,其 中该绝缘隔膜与该绝缘支承构件系为一体成型。 14.如申请专利范围第12项之半导体压力感测器,其 中该绝缘隔膜与该绝缘支承构件皆系包含有二氧 化矽。 15.如申请专利范围第12项之半导体压力感测器,其 中该压电电阻系包含有掺杂(doped)复晶矽。 16.如申请专利范围第12项之半导体压力感测器,其 中该压电电阻系为一压电薄膜(piezoelectric thin film) 。 17.如申请专利范围第16项之半导体压力感测器,其 中该该压电薄膜系包含有氧化锌(ZnO)、钛酸钡陶 瓷(BaTiO3)或钛酸铅铬陶瓷(PbZrTiO3,PZT)。 18.如申请专利范围第12项之半导体压力感测器,其 中该绝缘基底系为一玻璃基底。 19.如申请专利范围第18项之半导体压力感测器,其 中该控制电路系设于该玻璃基底上,且该控制电路 系包含有一低温复晶矽薄膜电晶体(low temperature polysilicon thin film tranststor,LTPS TFT)控制电路。 20.如申请专利范围第12项之半导体压力感测器,其 中该绝缘基底系为一石英基底。 21.如申请专利范围第20项之半导体压力感测器,其 中该控制电路系设于该石英基底上,且该控制电路 系包含有一高温复晶矽薄膜电晶体(high temperature polysilicon thin film transistor,HTPS TFT)控制电路。 22.如申请专利范围第12项之半导体压力感测器,其 中该控制电路系设于一印刷电路板(printed circuit board,PCB)上,且该控制电路系利用一软性印刷电路 板(flexible printed circuit board,FPC board)与该隔膜与该 压电电阻电连接。 23.如申请专利范围第12项之半导体压力感测器,其 中该控制电路系设于一软性印刷电路板上,且该控 制电路系利用该软性印刷电路板与该隔膜与该压 电电阻电连接。 24.如申请专利范围第12项之半导体压力感测器,其 中该绝缘基底表面另包含有一TFT显示区域,系用来 显示该半导体压力感测器所侦测到的压力变化値 。 图式简单说明: 图一为习知半导体压力感测器的剖面示意图。 图二为本发明半导体压力感测器的剖面示意图。 |
