| 主权项 |
1.一种利用光谱仪萤光的侦检方法,该方法包含: i.提供一流式试验设备,其包含与萤光标签流体传 递的多孔薄膜,该萤光标签具有大于1微秒的萤光 放射寿命,该多孔薄膜定义为一侦检地区; ii.该萤光标签与试验样本接触,以形成一混合物; iii.允许该混合物流至该位检地区; iv.将光谱仪萤光阅读机置放于最接近该侦检地区, 该萤光阅读机包含一波动激发能量及一时闸侦检 器; v.在该侦检地区以波动激发能量激发该萤光标签, 其中该激发引起萤光标签放射一侦检信号;以及 vi.以时闸侦检器测量侦检信号的强度。 2.如申请专利范围第1项的方法,其中该萤光标签具 有大于10微秒的放射寿命。 3.如申请专利范围第1项的方法,其中该萤光标签具 有100~1000微秒的放射寿命。 4.如申请专利范围第1项的方法,其中该萤光标签具 有大于50nm的斯扥克转移。 5.如申请专利范围第1项的方法,其中该萤光标签具 有大于100nm的斯扥克转移。 6.如申请专利范围第1项的方法,其中该萤光标签具 有250~350nm的斯扥克转移。 7.如申请专利范围第1项的方法,其中该萤光标签包 括钐、镝、铕、铽的稀土属螯化物或其化合物。 8.如申请专利范围第1项的方法,其中该萤光标签为 螯化铕。 9.如申请专利范围第1项的方法,其中该萤光标签使 用于与微颗粒、奈米粒子、微脂粒、树状分子、 聚合物或其化合物连结。 10.如申请专利范围第9项的方法,其中该萤光标签 使用于与以特定连结分析物构件变更的微颗粒或 奈米粒子连结。 11.如申请专利范围第1项的方法,其中该侦检地区 包括多数侦检区域。 12.如申请专利范围第11项的方法,其中该侦检区域 含有连结至多数分析物的多数捕获试剂。 13.如申请专利范围第1项的方法,其中该多孔薄膜 进一步定义为一校正地区,其中该混合物也允许流 至该校正地区。 14.如申请专利范围第13项的方法,其中该校正地区 包括多数侦检区域。 15.如申请专利范围第14项的方法,其中该校正区域 含有连结至多数萤光标签的多数捕获式剂。 16.如申请专利范围第13项的方法,进一步包含: 该光谱仪萤光阅读机置放邻接该校正地区; 在该校正地区以波动激发能量激发该萤光标签,其 中该激发引起萤光标签放射一校正信号; 以时闸侦检器测量校正信号的强度;以及 比较侦检信号及校正信号的强度,其中试验样本内 的分析物数量与侦检信号的强度成比例,此由校正 信号的强度校正。 17.如申请专利范围第16项的方法,其中在该侦检地 区中的萤光标签与在该校正地区中的萤光标签同 时激发。 18.如申请专利范围第16项的方法,其中同时测量该 侦检信号及校正信号。 19.如申请专利范围第16项的方法,其中该波动激发 能量光放射二极体。 20.如申请专利范围第16项的方法,其中该时间侦检 器为一矽光质二极体。 21.如申请专利范围第16项的方法,其中该萤光阅读 机含有与波动激发能量及时闸侦检器联系的定时 电路,该定时电路控制波动激发及侦检。 22.如申请专利范围第16项的方法,其中光学过滤器 邻接该波动激发能量、该时闸侦检器或其组合。 23.一种利用光谱仪萤光的侦检方法,该方法包含: i.提供一流式试验设备,其包含与含有萤光标签的 结合探针流体传递的多孔薄膜,该萤光标签具有大 于10微秒的萤光放射寿命,该多孔薄膜定义为一侦 检地区又一校正地区;以及 ii.该结合探针与试验样本接触,以形成一混合物; iii.允许该混合物流至该侦检地区及校正地区; iv.将光谱仪萤光阅读机置放于最接近该位检地区 及校正地区,该萤光阅读机包含一波动激发能量及 一时闸侦检器; v.在该侦检地区及校正地区以波动激发能量激发 该萤光标签,其中该激发引起萤光标签在该侦检地 区放射一侦检信号及在该校正地区放射一校正信 号; vi.以时闸侦检器测量侦检信号及校正信号的强度; 以及 vii.比较侦检信号及校正信号的强度,其中试验样 本内的分析物数量与侦检信号的强度成比例,此以 校正信号的强度校正。 24.如申请专利范围第23项的方法,其中该萤光标签 具有100~1000微秒的放射寿命。 25.如申请专利范围第23项的方法,其中该萤光标签 具有大于50nm的斯扥克转移。 26.如申请专利范围第23项的方法,其中该萤光标签 具有250~350nm的斯扥克转移。 27.如申请专利范围第23项的方法,其中该萤光标签 包括钐、镝、铕、铽的稀土属螯化物或其化合物 。 28.如申请专利范围第27项的方法,其中该萤光标签 为螯化铕。 29.如申请专利范围第23项的方法,其中该萤光标签 在侦检地区与该萤光标签同时激发。 30.如申请专利范围第23项的方法,其中同时测量该 位检信号及校正信号。 31.如申请专利范围第23项的方法,其中该波动激发 能量为波动光放射二极体。 32.如申请专利范围第23项的方法,其中该时闸侦检 器为矽光质二极体。 33.如申请专利范围第23项的方法,其中该萤光阅读 机含有与该波动激发能量及时闸侦检器联系的定 时电路,该定时电路控制波动激发及侦检。 34.一种利用光谱仪萤光的侦检方法,该方法包含: i.提供一流式试验设备,其包含与含有稀土属螯化 物的结合探针流体传递的多孔薄膜,该稀土属螯化 物具有大于50微秒的萤光放射寿命以及大于100nm的 斯扥克转移,该多孔薄膜定义为一侦检地区及一校 正地区;以及 ii.该结合探针与试验样本接触,以形成一混合物; iii.允许该混合物流至该侦检地区及校正地区; iv.将光谱仪萤光阅读机置放于最接近该侦检地区 及校正地区,该萤光阅读机包含一波动激发能量及 包含矽光质二极体的时闸侦检器; v.在该侦检地区及校正地区以波动光放射二极体 激发该稀土属螯化物,其中该激发引起稀土属螯化 物在该位检地区放射一侦检信号及在该校正地区 放射一校正信号; vi.以时闸侦检器测量侦检信号及校正信号的强度; 以及 vii.比较侦检信号及校正信号的强度,其中试验样 本内的分析物数量与侦检信号的强度成比例,此以 校正信号的强度校正。 35.如申请专利范围第34项的方法,其中该稀土属螯 化物选自由钐、镝、铕、铽或其化合物所组成。 36.如申请专利范围第34项的方法,其中该稀土属螯 化物为螯化铕。 37.如申请专利范围第34项的方法,其中该波动光放 射二极体为紫外线光放射二极体。 38.如申请专利范围第34项的方法,其中该萤光阅读 机含有与该波动光放射二极体及时闸侦检器联系 的定时电路。 39.如申请专利范围第34项的方法,其中在侦检地区 的萤光标签与在校正地区的萤光标签同时激发。 40.如申请专利范围第34项的方法,其中同时测量该 位检信号及校正信号。 41.如申请专利范围第34项的方法,其中该萤光信号 具有100~1000微秒的放射寿命。 42.如申请专利范围第34项的方法,其中该萤光标签 具有250~350nm的斯扥克转移。 图式简单说明: 第一图为本发明薄膜设备之实施例的正视图; 第二图为可使用于本发明光谱仪萤光阅读机之一 实施例的概要图表,包括代表性的电子构件; 第三图为可使用于本发明光谱仪萤光阅读机之另 一实施例的概要图表,包括代表性的电子构件; 第四图为可使用于本发明光谱仪萤光阅读机之又 另一实施例的概要图表,包括代表性的电子构件; 第五图为在范例2中得到标准激发及放射之光谱结 果的曲线图;以及 第六图为标准萤光强度与范例4之分析物浓度(nm/m1 )结果的曲线图。 |
