| 主权项 |
1.一种晶圆结构,包括: 一基材;以及 复数个晶片,配置于该基材上,该些晶片区分为复 数种型态,每一该些晶片包括至少一主动元件、多 数个膜层以及多数个焊垫,该些膜层位于主动元件 与该些焊垫之间,而主动元件与该些焊垫电性连接 ,其中不同型态之该些晶片中,该些膜层的厚度以 及排列顺序相同,但至少有部分该些膜层的图案不 相同。 2.如申请专利范围第1项所述之晶圆结构,其中该些 膜层包括多数个图案化导线层。 3.如申请专利范围第1项所述之晶圆结构,其中该些 膜层包括多数个图案化介电层。 4.如申请专利范围第1项所述之晶圆结构,其中该些 晶片系为不同布线型态之记忆体元件。 5.如申请专利范围第1项所述之晶圆结构,其中不同 型态之该些晶片具有相同的焊垫分布。 6.如申请专利范围第1项所述之晶圆结构,其中不同 型态之该些晶片具有不同的焊垫分布。 7.一种晶圆结构,包括: 一基材,以及 复数个晶片,配置于该基材上,该些晶片区分为复 数种型态,每一该些晶片包括至少一主动元件、多 数个膜层以及一重布线层,该些膜层位于该主动元 件与该重布线层之间,而该重布线层具有多数个重 布线接点,其与该主动元件电性连接,其中该些晶 片具有不同型态的该些重布线接点。 8.如申请专利范围第7项所述之晶圆结构,其中该些 膜层包括多数个图案化导线层。 9.如申请专利范围第7项所述之晶圆结构,其中该些 膜层包括多数个图案化介电层。 10.如申请专利范围第7项所述之晶圆结构,其中该 些晶片系为不同接点型态之记忆体元件。 11.一种图案化制程,适用于一晶圆,该晶圆具有多 数个晶片布线区,该图案化制程至少包括: 提供一复合式光罩,其具有多数个区块,每一该些 区块对应于该些晶片布线区之一,且每一该些区块 具有不同的图案; 形成一光阻于该晶圆之该些晶片布线区上,并放置 该复合式光罩于该晶圆之上方;以及 进行曝光显影,以使每一该些区块的图案转移至该 光阻之一区域上,以定义出该区域下方之该些晶片 布线区的图案。 12.如申请专利范围第11项所述之图案化制程,其中 于进行曝光显影之步骤中,包括以步进的方式依序 投影该些区块的图案至该光阻之其他区域上。 13.一种图案化制程,适用于一晶圆,该晶圆具有多 数个晶片,而每一该些晶片具有一重布线层,该图 案化制程至少包括: 提供一复合式光罩,其具有多数个区块,每一该些 区块对应于该些晶片之一,且每一该些区块具有不 同的图案; 形成一光阻于该些晶片之表面上,并放置该复合式 光罩于该晶圆之上方;以及 进行曝光显影,以使每一该些区块的图案转移至该 光阻,以定义出每一该些晶片之该重布线层的图案 。 14.如申请专利范围第13项所述之图案化制程,其中 于进行曝光显影之步骤中,包括以等比例的方式投 影该些区块的图案至该光阻上。 图式简单说明: 第1图绘示本发明第一实施例之一种晶圆结构的局 部示意图。 第2图绘示第1图之晶圆结构之二晶片的剖面示意 图。 第3图绘示本发明之一种复合式光罩,其配置于晶 圆上方的示意图。 第4图绘示本发明第二实施例之一种晶圆结构的俯 视示意图及晶片放大示意图。 第5图绘示第4图之晶圆结构之二晶片的剖面示意 图。 第6图绘示本发明之一种复合式光罩,其配置于晶 圆上方的示意图。 |
