| 主权项 |
1.一种光记录媒体,其至少具有:资料记录区域,其 系藉由照射雷射光而写入资料;及 数个试写区域,其系供写入雷射光之写入功率调整 用的试写资料。 2.如申请专利范围第1项之光记录媒体,其中上述试 写区域至少分别一个一个地设置于藉由较显示上 述资料记录区域之开始位置之位址之前的位址所 指定的位置,及藉由较显示上述资料记录区域之结 束位置之位址之后的位址所指定的位置。 3.如申请专利范围第1项之光记录媒体,其中上述资 料记录区域及试写区域系以同心圆状或螺旋状之 记录轨道形成, 上述试写区域分别一个一个地设置于上述资料记 录区域之内周侧与外周侧。 4.如申请专利范围第1项之光记录媒体,其中记录有 供识别仅设有一个写入有调整雷射光之写入功率 用之试写资料之试写区域之碟状记录媒体与上述 光记录媒体的识别资讯。 5.如申请专利范围第4项之光记录媒体,其中上述资 料记录区域及试写区域于脊与槽之至少任何一方 形成记录轨道,上述脊与槽之至少任何一方系因应 摆动信号蛇行形成, 上述识别资讯含于上述摆动信号内。 6.一种记录装置,其具备:记录机构,其系对于至少 具有藉由照射雷射光而写入资料之资料记录区域, 及写入雷射光之写入功率调整用之试写资料之数 个试写区域的光记录媒体,照射雷射光而写入资料 ;及 控制机构,其系于上述资料记录区域内写入资料时 ,系以于上述数个试写区域中之距上述资料记录区 域内写入资料之位置最近的试写区城内写入试写 资料的方式控制上述记录机构。 7.如申请专利范围第6项之记录装置,其中上述控制 机构系依据自上述试写区域读取之试写资料,设定 照射于上述记录机构之上述资料记录区域之雷射 光的写入功率。 8.一种记录装置,其具备:记录机构,其系对于至少 具有藉由照射雷射光而写入资料之资料记录区域, 及写入雷射光之写入功率调整用之试写资料之数 个试写区域的光记录媒体,照射雷射光而写入资料 ;及 控制机构,其系于上述资料记录区域内写入资料时 ,系以于上述数个试写区域中之至少两个以上之试 写区域内写入试写资料的方式控制上述记录机构 。 9.如申请专利范围第8项之记录装置,其中上述控制 机构系依据自上述至少两个以上试写区域读取之 试写资料,设定照射于上述资料记录区域之雷射光 的写入功率。 10.如申请专利范围第9项之记录装置,其中上述试 写区域分别一个一个地设于上述资料记录区域之 内周侧与外周侧, 上述控制机构自依据自上述内周侧之试写区域读 取之试写资料所设定之雷射光之写入功率,与依据 自上述外周侧之试写区域读取之试写资料所设定 之雷射光之写入功率,求出因应于上述资料记录区 域内记录资料之位置之雷射光的写入功率,并依据 该求出结果,改变照射于上述资料记录区域之雷射 光的写入功率。 11.如申请专利范围第10项之记录装置,其中上述求 出结果系自依据自上述内周侧之试写区域读取之 试写资料所设定之雷射光之写入功率,与依据自上 述外周侧之试写区域读取之试写资料所设定之雷 射光之写入功率,内插求出因应于上述资料记录区 域内记录资料之位置之雷射光的写入功率。 12.如申请专利范围第11项之记录装置,其中上述控 制机构于上述资料记录区域之上述雷射光之写入 功率大于特定値时,将上述写入资料之速度设定成 比事前所设定之速度慢,来写入该资料。 13.如申请专利范围第12项之记录装置,其中上述特 定値系输出上述雷射光之雷射二极体的额定値。 14.如申请专利范围第8项之记录装置,其中上述控 制机构至少以两种以上之不同速度在上述资料记 录区域内写入资料时,以上述至少两种以上之不同 速度在上述试写区域内写入试写资料,并依据自上 述试写区域读取之各试写资料,设定以写入该试写 资料之速度,在上述资料记录区域内写入资料用之 雷射光的写入功率。 15.如申请专利范围第14项之记录装置,其中上述控 制机构以上述至少两个以上之试写区域中,距上述 资料记录区域内写入资料之位置最近之试写区域 内写入试写资料之方式,控制上述记录机构。 16.如申请专利范围第8项之记录装置,其中上述控 制机构于上述资料记录区域内写入资料时,系愈往 上述光记录媒体外周愈加快设定于上述试写区域 内写入试写资料之速度,于上述数个试写区域中之 至少两个以上的试写区域内写入资料。 17.如申请专利范围第16项之记录装置,其中上述控 制机构系依据自上述试写区域读取之上述试写资 料,设定照射于上述资料记录区域之雷射光的写入 功率。 18.如申请专利范围第17项之记录装置,其中上述试 写区域一个一个地设于上述资料记录区域之内周 侧与外周侧, 上述控制机构自依据自上述内周侧之试写区域读 取之试写资料所设定之雷射光之写入功率,与依据 自上述外周侧之试写区域读取之试写资料所设定 之雷射光之写入功率,求出因应于上述资料记录区 域内记录资料之位置之雷射光的写入功率,并依据 该求出结果,改变照射于上述资料记录区域之雷射 光的写入功率。 19.如申请专利范围第18项之记录装置,其中上述求 出结果系自依据自上述内周侧之试写区域读取之 试写资料所设定之雷射光之写入功率,与依据自上 述外周侧之试写区域读取之试写资料所设定之雷 射光之写入功率,内插求出因应于上述资料记录区 域内记录资料之位置之雷射光的写入功率。 20.如申请专利范围第19项之记录装置,其中上述控 制机构于上述资料记录区域之上述雷射光之写入 功率大于特定値时,将上述写入资料之速度设定成 比事前所设定之速度慢,来写入该资料。 21.如申请专利范围第20项之记录装置,其中上述特 定値系输出上述雷射光之雷射二极体的额定値。 22.如申请专利范围第16项之记录装置,其中上述控 制机构以两种以上之不同速度在上述资料区域内 写入资料时,以上述两种以上之不同速度在上述试 写区域内写入试写资料,并依据自上述试写区域读 取之各试写资料,设定以写入该试写资料之速度, 在上述资料记录区域内写入资料用之雷射光的写 入功率。 23.如申请专利范围第20项之记录装置,其中上述控 制机构以上述至少两个以上之试写区域中,距上述 资料记录区域内写入资料之位置最近之试写区域 内写入试写资料之方式,控制上述记录机构。 24.一种记录方法,其特征为:在至少具有藉由照射 雷射光而写入资料之资料记录区域,及写入雷射光 之写入功率调整用之试写资料之数个试写区域的 光记录媒体内,照射雷射光而写入资料时,系于上 述数个试写区域中,距上述资料记录区域内写入资 料之位置最近的试写区域内写入试写资料。 25.如申请专利范围第24项之记录方法,其系依据自 上述试写区域读取之试写资料,设定照射于上述记 录机构之上述资料记录区域之雷射光的写入功率 。 26.一种记录方法,其特征为:对于至少具有藉由照 射雷射光而写入资料之资料记录区域,及写入雷射 光之写入功率调整用之试写资料之数个试写区域 的光记录媒体,照射雷射光而写入资料时,系于上 述数个试写区域中,至少两个以上的试写区域内写 入试写资料。 27.如申请专利范围第26项之记录方法,其系依据自 上述至少两个以上之试写区域读取之试写资料,设 定照射于上述资料记录区域之雷射光的写入功率 。 28.如申请专利范围第27项之记录方法,其中上述试 写区域分别一个一个地设于上述资料记录区域之 内周侧与外周侧, 并自依据自上述内周侧之试写区域读取之试写资 料所设定之雷射光之写入功率,与依据自上述外周 侧之试写区域读取之试写资料所设定之雷射光之 写入功率,求出因应于上述资料记录区域内记录资 料之位置之雷射光的写入功率,并依据该求出结果 ,改变照射于上述资料记录区域之雷射光的写入功 率。 29.如申请专利范围第28项之记录方法,其中上述求 出结果系自依据自上述内周侧之试写区域读取之 试写资料所设定之雷射光之写入功率,与依据自上 述外周侧之试写区域读取之试写资料所设定之雷 射光之写入功率,内插求出因应于上述资料记录区 域内记录资料之位置之雷射光的写入功率。 30.如申请专利范围第29项之记录方法,其中上述资 料记录区域之上述雷射光之写入功率大于特定値 时,将上述写入资料之速度设定成比事前所设定之 速度慢,来写入上述资料。 31.如申请专利范围第30项之记录方法,其中上述特 定値系输出上述雷射光之雷射二极体的额定値。 32.如申请专利范围第26项之记录方法,其中上述控 制机构以至少两种以上之不同速度在上述资料记 录区域内写入资料时,以上述至少两种以上之不同 速度在上述试写区域内写入试写资料,并依据自上 述试写区域读取之各试写资料,设定以写入该试写 资料之速度,在上述资料记录区域内写入资料用之 雷射光的写入功率。 33.如申请专利范围第32项之记录方法,其系于上述 至少两个以上之试写区域中,距上述资料记录区域 内写入资料之位置最近之试写区域内写入试写资 料。 34.如申请专利范围第26项之记录方法,其系随上述 光记录媒体到达外周加快设定于上述试写区域内 写入试写资料之速度,于上述数个试写区域中之至 少两个以上的试写区域内写入资料。 35.如申请专利范围第34项之记录方法,其系依据自 上述试写区域读取之上述试写资料,设定照射于上 述资料记录区域之雷射光的写入功率。 36.如申请专利范围第35项之记录方法,其中上述试 写区域一个一个地设于上述资料记录区域之内周 侧与外周侧, 并自依据自上述内周侧之试写区域读取之试写资 料所设定之雷射光之写入功率,与依据自上述外周 侧之试写区域读取之试写资料所设定之雷射光之 写入功率,求出因应于上述资料记录区域内记录资 料之位置之雷射光的写入功率,并依据该求出结果 ,改变照射于上述资料记录区域之雷射光的写入功 率。 37.如申请专利范围第36项之记录方法,其中上述求 出结果系自依据自上述内周侧之试写区域读取之 试写资料所设定之雷射光之写入功率,与依据自上 述外周侧之试写区域读取之试写资料所设定之雷 射光之写入功率,内插求出因应于上述资料记录区 域内记录资料之位置之雷射光的写入功率。 38.如申请专利范围第37项之记录方法,于上述资料 记录区域之上述雷射光之写入功率大于特定値时, 将上述写入资料之速度设定成比事前所设定之速 度慢,来写入该资料。 39.如申请专利范围第38项之记录方法,其中上述特 定値系输出上述雷射光之雷射二极体的额定値。 40.如申请专利范围第34项之记录方法,其中以两种 以上之不同速度在上述资料区域内写入资料时,以 上述两种以上之不同速度在上述试写区域内写入 试写资料,并依据自上述试写区域读取之各试写资 料,设定以写入该试写资料之速度,在上述资料记 录区域内写入资料用之雷射光的写入功率。 41.如申请专利范围第40项之记录方法,其系以上述 至少两个以上之试写区域中,距上述资料记录区域 内写入资料之位置最近之试写区域内写入试写资 料。 图式简单说明: 图1系显示应用本发明之光碟的实体格式图。 图2系显示上述光碟之XAA的格式图。 图3系显示上述光碟之内周侧PCA及PMA的格式图。 图4系显示上述光碟之外周侧PCA的格式图。 图5系应用本发明之光碟之记录再生装置的区块构 造图。 图6系显示上述记录再生装置之第一种功率修正处 理例的流程图。 图7系显示上述记录再生装置之第二种功率修正处 理例的流程图。 图8系显示以上述第二种功率修正处理求出之CLV控 制方式时的记录功率修正函数图。 图9系显示以上述第三种功率修正处理求出之区域 CLV控制方式时的记录功率修正函数图。 图10系显示上述记录再生装置之第三种功率修正 处理例的流程图。 图11系显示上述记录再生装置之第四种功率修正 处理例的流程图。 图12系显示先前之CD-R的实体格式图。 图13系显示CLV控制方式时之旋转速度对光碟半径 位置的关系图。 图14系显示区域CLV控制方式时之旋转速度对光碟 半径位置的关系图。 图15系显示CLV控制方式时之雷射光之记录功率对 光碟半径位置的关系图。 图16系显示区域CLV控制方式时之雷射光之记录功 率对光碟半径位置的关系图。 |
