发明名称 |
积体电路记忆卡(二) IC MEMORY CARD |
摘要 |
【物品用途】本创作系有关于一种用于记忆装置使用之「积体电路记忆卡(二)」之新式样设计。【创作特点】如图所示,由立体图观之,本创作之积体电路记忆卡(二)呈一方形片状体,其上方部之宽度较小,且有一向上开口的凹槽,下方有一凹入平面且与上上之凹槽连接,由后视图观之上方部分两侧各有一导槽,且各岛槽下方各具有一凹槽。整体而言,本创作造形简洁俐落美观、且式样新颖具独创性,实为一特殊且实用之新式样设计。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容;理应明了,新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之,且系以申请专利范围所界定者为准。 |
申请公布号 |
TWD101515 |
申请公布日期 |
2004.11.21 |
申请号 |
TW092302060 |
申请日期 |
2003.04.14 |
申请人 |
松下电器产业股份有限公司;东芝股份有限公司;圣迪斯克公司 SANDISK CORPORATION 美国 |
发明人 |
山田博之;中村穰;本广幸;汉姆.塔基亚;罗伯.米勒 |
分类号 |
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主分类号 |
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代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼 |
主权项 |
如图所示「积体电路记忆卡(二)」之新式样。 图式简单说明: 第1图所示系本创作之立体图; 第2图所示系本创作之前视图; 第3图所示系本创作之后视图; 第4图所示系本创作之左侧视图; 第5图所示系本创作之右侧视图; 第6图所示系本创作之俯视图; 第7图所示系本创作之仰视图; 第8图所示系本创作沿第2图中直线A-A'所取的剖面 示意图;以及 第9图所示系本创作沿第2图中直线B-B'所取的剖面 示意图。 |
地址 |
日本 |