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Ein projiziertes Bild wird auf einem Materialsubstrat erzeugt. Eine photolithographische Maske wird mit im Wesentlichen kohärentem Licht in einem schiefen Einfallswinkel in Bezug auf eine Oberfläche der photolithographischen Maske beleuchtet. Die photolithographische Maske umfasst ein im Wesentlichen lichtdurchlässiges Maskensubstrat und ein oder mehrere Strukturen aus Linien und Zwischenräumen, welche auf dem Maskensubstrat ausgebildet sind und eine Periodizität P aufweisen. Das Maskensubstrat umfasst wenigstens ein Phasenverschiebungsgebiet. Wenigstens ein Teil des Lichts, welches von der photolithographischen Maske durchgelassen wird, wird unter Verwendung einer oder mehr Projektionslinsen gesammelt, welche den Teil des durchgelassenen Lichts auf das Materialsubstrat projizieren. Das Materialsubstrat ist im Wesentlichen parallel zu einer Fokusebene des Projektionslinsensystems, aber in einem Abstand davon angeordnet. Das Phasenverschiebungsgebiet des Maskensubstrats und der Abstand von der Fokusebene werden so ausgewählt, dass ein im Wesentlichen scharfes Bild auf das Materialsubstrat projiziert wird, welches die Linien und Zwischenräume als Muster, aber mit einer Periodizität P/2 umfasst.
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