Verfahren zur Bildung von Saliziden

摘要

Ein Verfahren zur Bildung eines Salizids auf einem Halbleiterbauelement umfasst Abscheiden einer ersten Schicht hochschmelzenden Metalls über ein Siliziumgebiet eines Substrats, Abscheiden einer Schicht aus Fastedelmetall über der ersten Schicht hochschmelzenden Metalls und Abscheiden einer zweiten Schicht hochschmelzenden Metalls über der Schicht aus Fastedelmetall. Das Halbleiterelement wird in einem ersten Ausheizprozess ausgeheizt, um eine Silizidschicht zu bilden, die an das Dotierungsgebiet des Halbleiterbauelements angrenzt. Abschnitte der Schicht aus Fastedelmetall, die nicht reagiert haben, und die zweite Schicht hochschmelzenden Metalls werden entfernt. Das Bauelement kann in einem optionalen zweiten Ausheizprozess ausgeheizt werden, um die Silizidschicht in ein Silizidmaterial mit einer Phase niedrigen Widerstands umzuwandeln. Übergangsverlust und Überbrückung werden durch Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung auf ein Minimum herabgesetzt oder ausgeschaltet, und es wird eine glattere silizidierte Oberfläche erreicht.