| 摘要 |
1. Способ формирования магнитных туннельных переходив на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл, включающий формирование магнитного туннельного перехода на подложке, имеющего свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью, причем туннельный изолирующий слой формируют осаждением тонкого диэлектрического слоя на свободно перемагничивающимся слое, отличающийся тем, что на подложку в вакууме осаждают слой железа при комнатной температуре, затем на поверхность слоя железа в вакууме осаждают слой кремния при комнатной температуре, далее осуществляют окисление поверхности осажденного кремния в плазме тлеющего разряда при комнатной температуре, после этого формируют слой ферромагнитного силицида под слоем оксида кремния путем твердофазной реакции при температуре 400-800°С, затем слой с фиксированной намагниченностью формируют на туннельном изолирующем слое. ! 2. Способ формирования магнитных туннельных переходов на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл по п.1, отличающийся тем, что слой железа осаждают методом импульсного лазерного осаждения. ! 3. Способ формирования магнитных туннельных переходов на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл по п.1, отличающийся тем, что слой железа осаждают методом термического осаждения. ! 4. Способ формирования магнитных туннельных переходов на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл по п.1, отличающийся тем, что при этом толщина слоя осажденного кремния рассчиты |
