| 主权项 |
1.一种发光二极体支架改良结构，其包含：一第一支架，包含有一第一顶端部及一第一延伸部，该第一延伸部自该第一顶端部向下延伸，该第一顶端部设置有内凹之一凹陷部，该凹陷部系用以固接一发光二极体晶片，并且该第一延伸部之边缘凹设有至少一阻隔区段；及一第二支架，包含有一第二顶端部及一第二延伸部，该第二延伸部自该第二顶端部向下延伸，该第二顶端部与该发光二极体形成电性连接，并且该第二延伸部之边缘凹设有至少一阻隔区段。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架改良结构，其中该凹陷部的剖面系呈现半圆形形状或V型形状。3.如申请专利范围第2项所述之发光二极体支架改良结构，其中该凹陷部的剖面呈现V型形状时，所开设角度系为90度角。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架改良结构，其中该些阻隔区段系以于该第一延伸部以及该第二延伸部之边缘形成倒角。5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架改良结构，其中该些阻隔区段的区段长度系为固定数值。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架改良结构，其中该些阻隔区段系平均分布于该第一延伸部以及该第二延伸部之边缘。7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架改良结构，其中该发光二极体支架改良结构更包含一封装胶体，用以包覆于该第一顶端部及该第二顶端部，且部分包覆于该第一延伸部及该第二延伸部。图式简单说明：第1图绘示为习知发光二极体支架结构之立体示意图。第2图绘示为习知发光二极体支架结构改良之立体示意图。第3图绘示为本创作发光二极体支架改良结构之立体示意图。第4A图绘示为本创作发光二极体支架改良结构冲压所形成于第一支架与第二支架毛边未处理之剖面示意图。第4B图绘示为本创作发光二极体支架改良结构经间段式整平制程后的第一支架与第二支架剖面示意图。第5A图绘示为习知发光二极体支架结构第一支架与第二支架之第一延伸部与第二延伸部的立体示意图。第5B图绘示为本创作发光二极体支架改良结构第一支架与第二支架之第一延伸部与第二延伸部的立体示意图。第6A图绘示为本创作发光二极体支架改良结构之凹陷部半圆形形状的剖面示意图。第6B图绘示为本创作发光二极体支架改良结构之凹陷部V型形状的剖面示意图。第7图绘示为本创作发光二极体支架改良结构之封装第一支架与第二支架于封装胶体立体示意图。 |
