| 发明名称 | 半导体制程 | ||
| 摘要 | 半导体制程，包含有下述步骤。首先，形成一第一结构以及一第二结构于一基底上。接着，形成一氧化层全面覆盖第一结构以及第二结构。接着，形成一氮化层全面覆盖氧化层。接续，进行一乾蚀刻制程，移除部分第一结构上的氮化层。然后，进行一湿蚀刻制程，完成移除第一结构以及第二结构上的氮化层以及氧化层。 | ||
| 申请公布号 | TWI534893 | 申请公布日期 | 2016.05.21 |
| 申请号 | TW101116034 | 申请日期 | 2012.05.04 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡宗益;吕水烟 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种半导体制程，包含有：形成一第一结构以及一第二结构于一基底上；形成一氧化层全面覆盖该第一结构以及该第二结构；形成一氮化层全面覆盖该氧化层；进行一乾蚀刻制程，仅移除该第一结构顶面上的该氮化层；以及进行一湿蚀刻制程，完成移除该第一结构以及该第二结构上的该氮化层以及该氧化层。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||