| 发明名称 |
具有金属闸极之半导体结构及其制造方法 |
| 摘要 |
用于制造一金属闸极结构之方法，其包括：在一闸极渠沟中形成一高介电常数(k)介电层；在该高k介电层上形成一蚀刻停止层(etch stop)；藉由以一原子层沈积(ALD)操作于该蚀刻停止层上形成具有一三合层结构的一功函数调整层，该三合层依序具有一晶界操控层、一掺杂层、及一封盖层，该晶界操控层用以让一掺杂原子穿透其本身，该掺杂层用以将该掺杂原子提供给该晶界操控层，且该封盖层用以防止该掺杂层氧化；以及填入金属以填平该闸极渠沟。该晶界操控层系藉由ALD操作在各种温度(例如自约摄氏200度至约350度)下制备。
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| 申请公布号 |
TWI534873 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
| 申请号 |
TW103116788 |
申请日期 |
2014.05.13 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
程仲良;陈彦羽;陈韦任;李昌盛;张伟 |
| 分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/306(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
冯博生 |
| 主权项 |
一种制造一金属闸极结构之方法，其包含：在一闸极渠沟中形成一高介电常数(k)介电层；在该高k介电层之上形成一蚀刻停止层(etch stop)；在该蚀刻停止层之上形成具有一三合层结构的一功函数调整层，该三合层依序具有一晶界操控层、一掺杂层、及一封盖层，该晶界操控层用以让一掺杂物原子穿透其本身，该掺杂层用以将该掺杂物原子提供至该晶界操控层，且该封盖层用以防止该掺杂层氧化；及填入一金属以填平该闸极渠沟；其中藉由在形成包含一关闭薄膜的该晶界操控层之期间使一成长温度界于约摄氏200度至约摄氏350度之范围内，以控制该掺杂物原子穿透该晶界操控层之程度。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
