选择性沉积磊晶锗合金应力源的方法与设备

摘要

形成异质接面应力源层的方法与设备。将锗前驱物与金属前驱物提供至腔室，并在基板上形成锗-金属合金的磊晶层。金属前驱物通常系金属卤化物，可藉由昇华固态金属卤化物或藉由以卤素气体接触纯金属来提供金属卤化物。可透过喷头或透过侧进入点来提供前驱物，并可个别地加热耦接至腔室的排气系统以管理排气成分的凝结。

主权项

一种在一基板上形成数个锗应力源层的方法，该方法包括：将该基板置于一处理腔室中；将一锗前驱物流入该处理腔室中，其中该锗前驱物为锗氢化物；在一反应空间中形成一金属卤化物应力源前驱物，该反应空间系耦接至该处理腔室；将该金属卤化物应力源前驱物流入该处理腔室中；以及在该基板上磊晶生成该锗应力源层，其中该锗应力源层包含来自该金属卤化物应力源前驱物之金属原子配置于一锗基质中。