发明名称 |
使用数个非依电性记忆体阵列管理资料之技术 |
摘要 |
使用数个非依电性记忆体阵列资料管理的方法被描述。该方法包含有把资料从一依电性记忆体区域写入到一第一非依电性记忆体阵列。该方法还包含有把该资料的一剩余部分从该依电性记忆体区域写入到一第二非依电性记忆体阵列以对检测到一事件已经发生做出回应。比起该第一非依电性记忆体阵列,该第二非依电性记忆体阵列具有一较低的写入延迟。
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申请公布号 |
TWI534827 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
申请号 |
TW103144303 |
申请日期 |
2014.12.18 |
申请人 |
惠普发展公司有限责任合夥企业 |
发明人 |
雷斯阿特瑞 葛雷格B;佛汀 马汀 |
分类号 |
G11C7/22(2006.01);G11C7/10(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/22(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
一种使用数个非依电性记忆体阵列管理资料的方法,其包含有:把资料从一依电性记忆体区域写入到一第一非依电性记忆体阵列;以及把该资料的一剩余部分从该依电性记忆体区域写入到一第二非依电性记忆体阵列以对检测到一事件已经发生做出回应;其中该第二非依电性记忆体阵列会比该第一非依电性记忆体阵列有一较低的写入延迟。
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地址 |
美国 |