记忆体装置及其资料写入方法

摘要

记忆体装置，包含：第一及第二电晶体、电容性元件及资料线。第一电晶体具有临界电压值，并包含第一电晶体第一端、第二端及第三端。电容性元件包含第一及第二电容端。第二电晶体包含第二电晶体第一端、第二端及第三端。其中第一电晶体第一端耦接于第一电容端及第二电晶体第二端。第一电晶体第二端接收第一电晶体第二端电压值。第一电晶体第三端接收第一电晶体第三端电压值。第二电晶体第一端耦接于资料线。第二电晶体第三端接收第二电晶体控制讯号。第一电晶体导通与关闭以将资料线维持在资料线电压值。

主权项

一种记忆体装置，包含：一第一电晶体，具有一临界电压(threshold voltage)值，并包含一第一电晶体第一端、一第一电晶体第二端以及一第一电晶体控制端；一电容性元件，包含一第一电容端以及一第二电容端；一第二电晶体，包含一第二电晶体第一端、一第二电晶体第二端以及一第二电晶体控制端；以及一资料线；其中该第一电晶体第一端耦接于该第一电容端以及该第二电晶体第二端；该第一电晶体第二端用以接收一第一电晶体第二端电压值；该第一电晶体控制端用以接收一第一电晶体控制端电压值，且该第一电晶体控制端电压值独立于该第二电容端的一电压值；该第二电晶体第一端耦接于该资料线；该第二电晶体控制端用以接收一第二电晶体控制讯号；以及该第一电晶体用以导通与关闭以将该资料线维持在一资料线电压值。