| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置包括：在半导体基板上形成的第1导电型的基极区域、在该基极区域内形成的第2导电型发射极区域、与基极区结合形成的第2导电型集电极区域以及在集电极区域内形成与基极区域相分离的第1导电型杂质区域。在与基极区域相连接的基极电极上连接有表面电阻。该表面电阻在其他位置上与上述杂质区域相连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1176497C | 申请公布日期 | 2004.11.17 |
| 申请号 | CN00124708.5 | 申请日期 | 2000.09.15 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 坂本和久 |
| 分类号 | H01L29/73;H01L29/866;H01L21/33 | 主分类号 | H01L29/73 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 黄永奎 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于包括：在半导体基板上形成的第1导电型的基极区域；在该基极区域内形成的第2导电型发射极区域；在半导体基板上形成的第2导电型集电极区域；在所述集电极区域内与上述基极区分离形成的第1导电型杂质区域；与所述基极区域连接的基极电极；在形成于半导体基板上的绝缘膜上形成、并在该基极电极的某个位置上连接的表面电阻；及连接在该表面电阻的其他位置、并连接在所述杂质区域的基极底座。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||